[发明专利]用于旋转基座的等离子体源

权利要求书

1.一种等离子体源组件，包含：

壳体，具有内周边缘、外周边缘、及前沿面，所述壳体包括气体入口，以形成来自所述气体入口的流动路径，以允许气体流动穿过所述壳体并离开所述前沿面中的开口；

RF热电极，位于所述壳体内，所述RF热电极具有细长主体，所述细长主体具有靠近所述壳体的所述内周边缘的内周端以及靠近所述壳体的所述外周边缘的外周端，并定义所述RF热电极的长度；

返回电极，具有细长主体，所述细长主体延伸于所述壳体的所述内周边缘与所述外周边缘之间，所述返回电极与所述RF热电极间隔开，以提供其中可形成等离子体的间隙；以及

RF馈送，连接到所述RF热电极，而位于距离所述RF热电极的所述内周端一距离处，所述距离小于或等于所述RF热电极的所述长度的25％，

其中在所述RF热电极的所述内周端处产生的离子通量小于在所述RF热电极的所述外周端处产生的离子通量。

2.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述返回电极为所述壳体。

3.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述RF馈送连接到所述RF热电极，而位于距离所述RF热电极的所述内周端一距离处，所述距离小于或等于所述RF热电极的所述长度的5％。

4.如权利要求1所述的等离子体源组件，所述等离子体源组件进一步包含：RF热电极包覆物，并定位成使得所述RF热电极并未暴露。

5.如权利要求4所述的等离子体源组件，其中所述RF热电极包覆物包含硅或氧化硅中的一或多种。

6.如权利要求4所述的等离子体源组件，其中所述RF热电极包覆物包含在所处理的晶片上并未溅射为污染物的材料。

7.如权利要求4所述的等离子体源组件，所述等离子体源组件进一步包含：返回电极包覆物，并定位成使得所述返回电极并未暴露。

8.如权利要求7所述的等离子体源组件，其中所述返回电极包覆物是与所述RF热电极包覆物不同的材料。

9.如权利要求7所述的等离子体源组件，其中所述返回电极包覆物包含硅、氧化硅、或氧化铝中的一或多种。

10.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中所述RF热电极与所述返回电极之间的所述间隙具有4mm到15mm的所述范围中的宽度。

11.如权利要求1所述的等离子体源组件，其中存在两个返回电极，而在所述RF热电极的每一侧上具有一个返回电极，每一返回电极与所述RF热电极间隔开，以形成间隙。

12.如权利要求11所述的等离子体源组件，其中所述RF热电极和所述返回电极之间的间隙的每一个具有大相同的宽度。