[发明专利]存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级，所述存储器单元个别地包括晶体管及电容器，(a)所述晶体管的沟道区或(b)所述电容器的一对电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者正上方；以及电容器电极结构，其竖向延伸通过所述垂直交替的层级，所述电容器电极结构将不同存储器单元层级中的所述对电极中的个别者中的一个电极电耦合在一起。

2.根据权利要求1所述的阵列，其中所述沟道区位于所述对电极正上方。

3.根据权利要求1所述的阵列，其中所述对电极位于所述沟道区正上方。

4.根据权利要求1所述的阵列，其中所述晶体管包括第一及第二源极/漏极区，所述第一及第二源极/漏极区中的任一者都不位于另一者的正上方。

5.根据权利要求1所述的阵列，其中所述晶体管包括第一及第二源极/漏极区，所述第一及第二源极/漏极区中的一者位于另一者上方。

6.根据权利要求5所述的阵列，其中所述第一及第二源极/漏极区中的任一者都不位于另一者的正上方。

7.根据权利要求1所述的阵列，其中所有所述沟道区都是水平定向的以使水平电流从中通过。

8.根据权利要求1所述的阵列，其中所述对电极中的至少一者在直线水平横截面中包括环。

9.根据权利要求1所述的阵列，其中所述晶体管包括栅极，所述栅极在直线水平横截面中包括环。

10.根据权利要求1所述的阵列，其中所述沟道区在直线水平横截面中包括环。

11.一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级，所述存储器单元个别地包括晶体管及电容器，(a)所述晶体管的沟道区或(b)所述电容器的一对电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者正上方；以及所述晶体管包括第一及第二源极/漏极区，所述第一及第二源极/漏极区之间具有所述沟道区，所述第一及第二源极/漏极区及所述沟道区共同包括在直线垂直横截面中彼此面对的相对的C形形状。

12.一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级，所述存储器单元个别地包括晶体管及电容器，(a)所述晶体管的沟道区或(b)所述电容器的一对电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者正上方；以及所述对中的至少一个电极包括在直线垂直横截面中彼此面对的相对的C形形状。

13.一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级，所述存储器单元个别地包括晶体管及电容器，(a)所述晶体管的沟道区或(b)所述电容器的一对电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者正上方；所述晶体管包括栅极，所述栅极在直线水平横截面中包括环；以及存储器单元的所述层级中的个别者中的多个所述栅极沿导电线彼此直接电耦合，所述栅极的横向紧邻的所述环在所述导电线中彼此重叠。

14.一种存储器阵列，其包括：

绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级，所述存储器单元个别地包括：

晶体管，其包括其间具有沟道区的第一及第二源极/漏极区，及可操作地靠近所述沟道区的栅极，所述沟道区的至少一部分水平定向，以用于所述第一及第二源极/漏极区之间的所述部分中的水平电流流动；

电容器，其包括第一及第二电极，所述第一及第二电极之间具有电容器绝缘体，所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区，所述阵列中多个所述电容器的所述第二电极彼此电连接；及

(a)所述晶体管的所述沟道区或(b)所述电容器的所述第一及第二电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者的正上方；及

感测线结构，其竖向延伸通过所述垂直交替的层级，在不同存储器单元层级中的所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区中的个别者电耦合到所述竖向延伸感测线结构。