[发明专利]基于晶片的腐蚀以及时间依赖型化学效应

权利要求书

1.一种用于确定残余化学反应的存在的方法，包含以下步骤：

在基板上形成传感器，其中形成所述传感器包括：

在所述基板之上形成材料堆叠；和

在所述材料堆叠中形成第一探针垫和第二探针垫，其中所述第一探针垫和所述第二探针垫的每一者具有延伸所述材料堆叠的整体高度的侧壁；

将所述基板置于测试腔室中；

在所述基板上执行诊断程序，其中在所述诊断程序期间记录来自所述传感器的电输出；及

基于所记录的来自所述传感器的所述电输出，确定后续处理操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板为装置基板，且其中所述传感器形成于所述装置基板的刻划线中，其中所述传感器在所述装置基板上与主动装置并联形成，且其中所述传感器包含与所述主动装置相同的材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述基板为处理发展基板。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述诊断程序包括监视对以下项中的一个或多个的改变：电容、电容噪声基底、电荷量测、漏电流、击穿电压、及电阻。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述诊断程序包括应用单一频率至所述传感器。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述诊断程序包括应用多个频率至所述传感器，且其中将所述多个频率应用为频率扫描。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述诊断程序包括在所述诊断程序期间变化环境条件，且其中所述环境条件包括以下条件中的一个或多个：压力、大气成分、温度、及暴露于电磁辐射。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述诊断程序包括电压偏压加速诊断程序，及其中所述后续处理操作包括在残余化学反应效应低于临界值时准许所述基板的持续处理。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述诊断程序包括电压偏压加速诊断程序，及其中所述后续处理操作包括在残余化学反应效应高于临界值时再加工所述基板或报废所述基板。

10.一种残余化学反应诊断装置，包括：

基板；

材料堆叠，所述材料堆叠位于所述基板之上；和

残余化学反应传感器，形成所述残余化学反应传感器进入所述材料堆叠，其中所述残余化学反应传感器包括：

第一探针垫，所述第一探针垫具有第一侧壁，所述第一侧壁延伸所述材料堆叠的整体高度；和

第二探针垫，所述第二探针垫具有第二侧壁，所述第二侧壁延伸所述材料堆叠的整体高度，其中所述残余化学反应传感器响应于残余化学反应的存在而提供电输出。

11.如权利要求10所述的残余化学反应诊断装置，其中所述基板为装置基板，其中所述传感器形成于所述装置基板的刻划线中，且其中所述传感器在所述装置基板上与主动装置并联形成，且其中所述传感器包含与所述主动装置相同的材料。

12.如权利要求10所述的残余化学反应诊断装置，其中所述基板为处理发展基板。

13.如权利要求10所述的残余化学反应诊断装置，其中多个第一臂自所述第一探针垫延伸出来，其中所述第一侧壁的表面是沿着所述多个第一臂；及

其中多个第二臂自所述第二探针垫延伸出来且与所述第一臂相互交叉，其中所述第二侧壁的表面是沿着所述多个第二臂。

14.如权利要求10所述的残余化学反应诊断装置，其中所述残余化学反应传感器包括：

迹线，所述迹线连接所述第一探针垫至所述第二探针垫。

15.如权利要求10所述的残余化学反应诊断装置，其中所述残余化学反应传感器提供电输出，电输出包括以下项中的一个或多个：电容、电容噪声基底、电荷量测、漏电流、击穿电压、及电阻。