[发明专利]在玻璃制造过程中对玻璃组合物进行改性的方法和设备

权利要求书

1.一种用于对玻璃组合物进行改性的方法，该方法包括：

将熔融玻璃输送至陶瓷成形主体，该陶瓷成形主体包括凹部，该凹部包含(i)第一电极和(ii)可移动离子源或可移动离子阱；

使熔融玻璃与第二电极接触；以及

在第一电极和第二电极之间施加电场，以在陶瓷成形主体上产生电势差，该电势差足以驱动至少一种可移动离子穿过陶瓷成形主体的晶间玻璃相进入或离开熔融玻璃。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极是阳极，并且所述第二电极是阴极。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述凹部包含可移动离子源，该可移动离子源含有至少一种掺杂剂可移动离子，并且所述电势差足以驱动所述至少一种掺杂剂可移动离子从所述可移动离子源穿过晶间玻璃相进入熔融玻璃。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一种可移动离子源选自由金属、金属合金、金属氧化物、金属盐、玻璃、其组合、其混合物以及其陶瓷复合物组成的组。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一种掺杂剂可移动离子选自由碱金属离子、碱土金属离子、过渡金属离子、稀土金属离子和重金属离子组成的组。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，在施加电场之前，陶瓷成形主体的晶间玻璃相和结晶相均基本上不含所述至少一种掺杂剂可移动离子。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极是阴极，并且所述第二电极是阳极。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述凹部包含用于接收至少一种贫化的可移动离子的可移动离子阱，并且所述电势差足以驱动所述至少一种贫化的可移动离子，使其离开熔融玻璃相，穿过晶间玻璃相进入所述至少一个可移动离子阱。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一个可移动离子阱选自由多孔金属氧化物、多孔金属、多孔玻璃、多孔陶瓷及其组合组成的组。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一种贫化的可移动离子选自由碱金属离子、碱土金属离子和过渡金属离子组成的组。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述陶瓷成形主体加热至约1000℃至约1500℃的处理温度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电势差在从约0.1V/cm到约20V/cm的范围内。

13.一种陶瓷成形主体，其包括结晶相、晶间玻璃相和空腔，所述空腔包含(i)至少一个电极和(ii)至少一个可移动离子源或至少一个可移动离子阱。

14.根据权利要求13所述的陶瓷成形主体，其中，所述空腔位于所述陶瓷成形主体的上部槽中、所述陶瓷成形主体的下部楔中或者二者中。

15.根据权利要求13所述的陶瓷成形主体，其中，所述空腔包含至少一个阳极和至少一个可移动离子源。

16.根据权利要求13所述的陶瓷成形主体，其中，所述空腔包含至少一个阴极和至少一个可移动离子阱。

17.根据权利要求13所述的陶瓷成形主体，其中，所述可移动离子选自由碱金属离子、碱土金属离子、过渡金属离子、稀土金属离子和重金属离子组成的组。

18.根据权利要求13所述的陶瓷成形主体，其中，所述可移动离子源包含至少一种可移动离子，并且所述结晶相和所述晶间玻璃相均基本上不含所述至少一种可移动离子。