[发明专利]通过化学蚀刻去除选择性沉积缺陷

权利要求书

1.一种选择性沉积的方法，所述方法包含：

提供具有第一材料及第二材料的基板，所述第一材料具有第一表面，所述第二材料具有第二表面；

使所述基板暴露于阻隔化合物，以相对于所述第二表面而于所述第一表面上选择性沉积阻隔层，所述阻隔化合物包含至少一种阻隔分子；

相对于所述第一表面而于所述第二表面上选择性形成一层并于所述第一表面上产生包含所述层的缺陷；及

从所述第一表面上的所述阻隔层去除所述缺陷。

2.如权利要求1所述的方法，其中，从所述第一表面去除所述缺陷包含：使所述基板暴露于金属-卤素前驱物达预定时间量。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述金属-卤素前驱物包含WCl_x、HfCl_x、NbCl_x或RuCl_x中的一或多种，式中，x为1至6。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述金属-卤素前驱物包含金属卤氧化物。

5.如权利要求2所述的方法，其中，所述金属-卤素前驱物实质上不包含氟原子。

6.如权利要求2所述的方法，其中，去除所述缺陷包含热处理。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料包含金属氧化物或介电材料，且所述第二材料包含金属或硅。

8.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一材料实质上由氧化硅组成。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二材料包含金属氧化物或介电材料，且所述第一材料包含金属或硅。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述第二表面实质上由氧化硅组成。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述层包含金属氧化物。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述金属氧化物为蚀刻中止层或掩模层。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述阻隔分子包含大于一个反应性部分。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述反应性部分是以直线的模式配置。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述反应性部分是以分支的模式配置。

16.如权利要求1所述的方法，其中，所述阻隔化合物包含至少两种不同的阻隔分子。

17.一种选择性沉积的方法，所述方法包含：

提供具有第一材料及第二材料的基板，所述第一材料包含介电质且具有第一表面，所述第二材料包含导体且具有第二表面；

使所述基板暴露于阻隔化合物，以相对于所述第二表面而于所述第一表面上选择性沉积阻隔层，所述阻隔化合物包含至少一种阻隔分子；

相对于所述第一表面而于所述第二表面上选择性形成一层并于所述阻隔层上形成所述层的缺陷；及

使所述基板暴露于缺陷去除工艺达预定时间量，以从所述阻隔层去除所述缺陷，所述缺陷去除工艺包含金属-卤素前驱物。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述金属-卤素前驱物包含WCl_x、HfCl_x、NbCl_x或RuCl_x中的一或多种、或金属卤氧化物，式中，x为1至6。

19.如权利要求17所述的方法，其中，去除所述缺陷包含热处理。

20.一种选择性沉积的方法，所述方法包含：

提供具有第一材料及第二材料的基板，所述第一材料包含介电质，所述第二材料包含导体；

使所述基板暴露于阻隔化合物，以相对于所述导体而于所述介电质上选择性沉积阻隔层，所述阻隔化合物包含至少一种阻隔分子；

相对于所述介电质而于所述导体上选择性形成一层，形成所述层会使缺陷在所述阻隔层上生长；及

使所述基板暴露于缺陷去除工艺达预定时间量，以从所述阻隔层去除所述缺陷，所述缺陷去除工艺包含在热处理中暴露于金属-卤素前驱物，所述金属-卤素前驱物包含WCl_x、HfCl_x、NbCl_x或RuCl_x中的一或多种、或金属卤氧化物，式中，x为1至6。