[发明专利]通过表面化学处理降低玻璃的静电荷的方法

权利要求书

1.一种用于降低触摸-显示装置中的不均效应的方法，所述方法包括：

(a)对覆盖玻璃片进行处理，从而在覆盖玻璃片的第一主表面或第二主表面中的至少一个上产生贫瘠表面层；以及

(b)将覆盖玻璃片放置成靠近触摸-显示装置中的液晶层，

其中，贫瘠表面层中的至少一种碱金属离子的表面浓度小于覆盖玻璃片中的所述至少一种碱金属离子的本体浓度；以及

其中，贫瘠表面层的深度范围是约5nm至约100nm。

2.如权利要求1所述的方法，其中，覆盖玻璃片包括选自硼硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃和钠钙玻璃的含碱性玻璃。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，对覆盖玻璃片进行处理包括离子交换步骤。

4.如权利要求3所述的方法，其中，离子交换步骤包括约20℃至约120℃的温度范围。

5.如权利要求3或4所述的方法，其中，离子交换步骤包括约30秒至约10分钟的处理时间段范围。

6.如权利要求3-5中任一项所述的方法，其中，离子交换步骤包括使得覆盖玻璃片的第一主表面和第二主表面中的至少一个与盐浴接触，所述盐浴包含选自H₃O⁺、Na⁺、K⁺、Cs⁺、Ag⁺和Au⁺的至少一种阳离子。

7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，对覆盖玻璃片进行处理包括沥滤或蚀刻步骤。

8.如权利要求7所述的方法，其中，沥滤或蚀刻步骤包括使得覆盖玻璃片的第一和第二主表面中的至少一个与沥滤剂或蚀刻剂接触，所述沥滤剂或蚀刻剂包含选自氟化物化合物、无机酸、有机酸及其组合中的至少一种化合物。

9.如权利要求8所述的方法，其中，蚀刻剂包括如下的组合：(a)至少一种氟化物化合物，以及(b)无机酸和有机酸中的至少一种。

10.如权利要求8或9所述的方法，其中，所述至少一种化合物选自：HF、NH₄F、F₂H₅N、NaF、KF、HCl、HNO₃、H₂SO₄、H₃PO₄和CH₃COOH。

11.如权利要求7-10中任一项所述的方法，其中，沥滤或蚀刻步骤包括约20℃至约90℃的温度范围。

12.如权利要求7-11中任一项所述的方法，其中，沥滤或蚀刻步骤包括约10秒至约10分钟的处理时间范围。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，对覆盖玻璃片进行处理包括离子交换步骤以及沥滤或蚀刻步骤。

14.如权利要求13所述的方法，其中，在离子交换步骤之后进行沥滤或蚀刻步骤。

15.一种用于降低触摸-显示装置中的不均效应的方法，所述方法包括：

(a)对覆盖玻璃片进行处理，从而在覆盖玻璃片的第一主表面或第二主表面中的至少一个上产生富集表面层；以及

(b)将覆盖玻璃片放置成靠近触摸-显示装置中的液晶层，

其中，富集表面层的二氧化硅浓度大于覆盖玻璃片的本体二氧化硅浓度；以及

其中，富集表面层的深度范围是约5nm至约100nm。

16.如权利要求15所述的方法，其中，对覆盖玻璃片进行处理包括沥滤或蚀刻步骤。