[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：

半导体基板；

有源部，其设置于所述半导体基板；以及

边缘终端结构部，其在所述半导体基板的上表面设置于所述有源部与所述半导体基板的外周端之间，

所述有源部具有：

晶体管部；以及

二极管部，其在所述半导体基板的上表面，与所述晶体管部交替地配置于预定的第一方向上，

所述半导体装置还具备端部寿命控制部，所述端部寿命控制部在所述边缘终端结构部设置于所述半导体基板的内部，并且在所述第一方向上连续地设置于与至少两个以上的所述二极管部对置的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述端部寿命控制部在与所述半导体基板的上表面平行的面中以包围所述有源部的方式设置为环状。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备有源部寿命控制部，所述有源部寿命控制部在所述二极管部设置于所述半导体基板的内部，

在与所述半导体基板的上表面平行的面中，所述端部寿命控制部与所述有源部寿命控制部在与所述第一方向垂直的第二方向上相连。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述端部寿命控制部具有上侧端部寿命控制部，所述上侧端部寿命控制部在与所述半导体基板的上表面垂直的深度方向上，配置于比所述半导体基板的中央靠近上侧的位置。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述有源部寿命控制部具有上侧有源部寿命控制部，所述上侧有源部寿命控制部在与所述半导体基板的上表面垂直的深度方向上，配置于比所述半导体基板的中央靠近上侧的位置，

在所述第一方向上，所述上侧有源部寿命控制部与所述上侧端部寿命控制部不相连。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，在所述有源部的所述第一方向上的端部配置有所述晶体管部，

所述上侧端部寿命控制部以与在所述第一方向的端部设置的所述晶体管部的至少一部分不重叠的方式配置。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述端部寿命控制部具有下侧端部寿命控制部，所述下侧端部寿命控制部在与所述半导体基板的上表面垂直的深度方向上，配置于比所述半导体基板的中央靠近下侧的位置。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述有源部寿命控制部具有下侧有源部寿命控制部，所述下侧有源部寿命控制部在与所述半导体基板的上表面垂直的深度方向上，配置于比所述半导体基板的中央靠近下侧的位置，

在所述第二方向上，所述下侧有源部寿命控制部与所述下侧端部寿命控制部相连。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，在所述有源部的所述第一方向上的端部配置有所述晶体管部，

所述下侧端部寿命控制部以与在所述第一方向的端部设置的所述晶体管部的至少一部分不重叠的方式配置。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，在所述有源部的所述第一方向上的端部配置有所述晶体管部，

所述下侧端部寿命控制部以与在所述第一方向的端部设置的整个所述晶体管部重叠的方式配置。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部具有阴极区，所述阴极区在所述半导体基板的内部以与所述半导体基板的下表面接触的方式设置，

在与所述半导体基板的上表面平行的面中，所述下侧端部寿命控制部配置于与所述阴极区不重叠的区域。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述下侧端部寿命控制部的与所述第一方向垂直的第二方向上的端部与所述阴极区的所述第二方向上的端部对置地配置。