[发明专利]二极管泵浦激光器的无源Q开关

权利要求书

1.一种激光器系统，所述激光器系统包括：

激光器腔；

增益介质，所述增益介质设置在所述激光器腔内；

泵浦，所述泵浦被配置成光学地泵浦所述激光介质；

可饱和吸收体(SA)；

第一镜，所述第一镜设置在所述激光器腔的第一近端处；以及

第二镜，所述第二镜设置在所述激光器腔的第二近端处；

其中，所述第一镜、所述第二镜和所述可饱和吸收体与所述激光腔一起沿着水平轴线设置，

所述可饱和吸收体设置在所述第二镜与所述激光器腔之间，

所述系统被配置成沿着水平轴线提供激光光束，使得所述激光光束在所述增益介质内的面积与所述激光光束在所述可饱和吸收体内的面积的比率大于1，

所述光束在所述增益介质上产生增益介质半径斑，并且所述光束在所述可饱和吸收体上产生可饱和吸收体半径斑，以及

在所述增益介质上的所述增益介质半径斑与在所述可饱和吸收体上的所述可饱和吸收体半径斑之间的比率在1.7至7的范围内。

2.根据权利要求1所述的激光器系统，其中，所述激光光束以红外(IR)光谱的波长为特征。

3.根据权利要求1和2中的任一项所述的激光器系统，其中，所述激光光束以在1800nm至2650nm的范围内的波长为特征。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的激光器系统，其中，所述激光光束以在1800nm至2100nm的范围内的波长为特征。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的激光器系统，其中，所述激光光束在所述激光介质内的面积与所述激光光束在所述可饱和吸收体内的面积的比率大于3.5。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的激光器系统，其中，所述可饱和吸收体(SA)包括从由卤化银和硫族化物组成的组中选出的材料。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的激光器系统，其中，所述激光介质包括基本上掺杂有稀土元素的材料。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的激光器系统，其中，所述增益介质包括从由钇铝石榴石(YAG)、铝酸钇(YAP)和氟化钇锂(YLF)组成的组中选出的晶体。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的激光器系统，其中，所述稀土元素选自铥(Tm)、钬(Ho)、铒(Er)、或者它们的任意组合。

10.一种无源Q开关二极管泵浦激光器系统，所述系统包括：

增益介质，和

可饱和吸收体(SA)；

其中，所述增益介质和所述可饱和吸收体沿着水平轴线设置；

其中，所述系统被配置成沿着所述水平轴线提供激光光束，使得所述激光光束在所述增益介质内的面积与所述激光光束在所述可饱和吸收体内的面积的比率大于1，

其中，所述光束在所述增益介质上产生增益介质半径斑，并且所述光束在所述可饱和吸收体上产生可饱和吸收体半径斑，以及

其中，在所述增益介质上的所述增益介质半径斑与在所述可饱和吸收体上的所述可饱和吸收体半径斑之间的比率在1.7至7的范围内。