[发明专利]双重间隔物浸没式光刻三重图案化流程和方法

说明书

描述了一种用于制造金属图案的系统和方法。在第一多晶硅层上形成多个心轴，所述第一多晶硅层在第一氧化物层的顶部上。每个心轴在第一氮化物的顶部上使用第二多晶硅。在所述心轴的侧壁上形成间隔物氧化物和间隔物氮化物以形成双重间隔物。沉积第二氧化物层，随后去除层直到到达所述心轴中的所述第一氮化物为止。基于多种可用方法中的选定方法来蚀刻区域，直到蚀刻所述第一氧化物层从而提供用于所述金属图案的沟槽为止。去除所述第一氧化物层上的剩余材料，随后将金属沉积在所述第一氧化物层中的所述沟槽中。

背景技术

相关技术的描述

随着半导体制造工艺的进步和管芯上几何尺寸的减小，半导体芯片提供更多的功能和性能，同时消耗更少的空间。虽然已经取得了许多进步，但在现代加工技术和集成电路设计中仍然会出现设计问题，这可能限制潜在的好处。例如，随着设计中使用的信号路线的数量和大小增加，对应的金属线消耗的面积也增大。为了减小金属线的宽度和间距，使用相对昂贵的加工技术。此外，这些相对昂贵的加工技术也相对较新，并且因此具有相对高的缺陷率。

鉴于上述情况，需要用于制造金属线同时管理半导体加工成品率并减少信号拥塞的有效方法和系统。

附图说明

通过结合附图参考以下描述可以更好地理解本文中描述的方法和机构的优点，附图中：

图1是标准单元布局的俯视图的概括图。

图2是标准单元布局的另一俯视图的概括图，其突出显示一组信号轨道的使用。

图3是制造中的半导体金属图案的横截面视图的概括图。

图4是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图5是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图6是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图7是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图8是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图9是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图10是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图11是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图12是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图13是用于制造将用于金属轨道的金属图案的方法的概括图。

图14是用于制造将用于金属轨道的金属图案的另一方法的概括图。

图15是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图16是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图17是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图18是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图19是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图20是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图21是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图22是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图23是制造中的半导体金属图案的另一横截面视图的概括图。

图24是用于制造将用于金属轨道的金属图案的另一方法的概括图。