[发明专利]用于在半导体应用中使用超临界流体的方法和设备

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

提供二氧化碳液体的进料供应器；

在压力下将来自所述进料供应器的所述二氧化碳液体的进料流供应至纯化系统的纯化容器；

利用在所述纯化容器中的蒸馏加热器将热供应至在所述纯化容器中的所述二氧化碳液体；

在单级蒸馏工艺中蒸馏在所述纯化容器中的所述二氧化碳液体以形成纯化的二氧化碳气体；

经由蒸馏流体管线将来自所述纯化容器的所述纯化的二氧化碳气体供应至纯化系统冷凝器；

通过与来自制冷系统的制冷剂进行热交换来冷凝在所述纯化系统冷凝器中的所述纯化的二氧化碳气体以形成纯化的二氧化碳液体；

将所述纯化的二氧化碳液体供应至产物储存容器，其中在所述产物储存容器中的所述二氧化碳液体具有纯化的液体储存液位；

产生对应于所述纯化的液体储存液位的储存液位控制信号；

控制在所述产物储存容器中的所述纯化的液体储存液位，其中控制在所述产物储存容器中的所述纯化的液体储存液位的步骤包括响应于所述产物储存容器的所述储存液位控制信号来控制被供应至所述纯化系统冷凝器的所述制冷剂的流动速率；

加热所述纯化的二氧化碳液体至高于临界点的目标温度以使所述纯化的二氧化碳液体变为超临界二氧化碳流体；及

使用所述超临界二氧化碳流体来清洁被设置在处理腔室中的基板。

2.如权利要求1所述的方法，其中来自所述进料供应器的所述二氧化碳液体具有按照非挥发性有机化合物的重量来计算为百万分之5的目标杂质层级，及其中所述纯化的二氧化碳液体具有按照非挥发性有机化合物的重量来计算并不超过百万分之0.05的杂质层级。

3.如权利要求1所述的方法，其中清洁所述基板的步骤包含以下步骤：

将所述纯化的二氧化碳液体供应至具有设置于其中的所述基板的所述处理腔室；及

在具有设置于其中的所述基板的所述处理腔室中加热所述纯化的二氧化碳液体至所述目标温度以使所述纯化的二氧化碳液体变为所述超临界二氧化碳流体。

4.如权利要求1所述的方法，其中清洁所述基板的步骤包含以下步骤：

加热所述纯化的二氧化碳液体至所述目标温度以使所述纯化的二氧化碳液体变为所述超临界二氧化碳流体；及

经由入口流体供应管线将所述超临界二氧化碳流体供应至具有设置于其中的所述基板的所述处理腔室。

5.如权利要求1所述的方法，其中控制在所述产物储存容器中的所述纯化的液体储存液位的步骤进一步包含以下步骤：通过响应于所述储存液位控制信号来控制所述蒸馏加热器的热输出的方式，控制在所述纯化容器中的所述二氧化碳液体的蒸发速率。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：

在将所述纯化的二氧化碳液体供应至所述处理腔室之前，使得来自所述产物储存容器的所述纯化的二氧化碳液体通过过冷器。