[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片(100)，包括：

-半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有用于产生电磁辐射的有源层(10)；

-在所述半导体层序列(1)的背侧(12)上的两个接触元件(21，22)；

-在所述半导体层序列(1)的与所述背侧(12)相对置的前侧(11)上的辐射可穿透的冷却元件(3)；

-在所述冷却元件(3)和所述半导体层序列(1)之间的含硅氧烷的转换层(4)，

其中

-所述接触元件(21，22)设置用于电接触所述半导体芯片(100)并且在所述半导体芯片(1)的未安装状态下露出，

-所述冷却元件(3)与所述半导体层序列(1)的生长衬底不同，

-所述冷却元件(3)具有至少0.7W/(m·K)的热导率。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片(100)，

其中所述冷却元件(3)包括玻璃或由玻璃构成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100)，其中

-所述冷却元件(3)是自承的，

-所述冷却元件(3)的厚度为至少250μm。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片(100)，

其中在所述半导体层序列(1)的背侧(12)和所述接触元件(21，22)在未安装状态下露出的侧之间的间距为最高5μm。

5.根据权利要求1或2所述的半导体芯片(100)，其中

-在所述半导体层序列(1)的背侧(12)上设置有载体(5)。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片(100)，

其中所述冷却元件(3)的厚度为最高100μm。

7.根据权利要求1至3和5至6中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述接触元件(21，22)具有至少100μm的厚度。

8.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述冷却元件(3)形成所述半导体芯片(1)的辐射出射面。

9.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述转换层(4)包括硅树脂基质连同在其中嵌入的转换颗粒，或者由硅树脂基质连同在其中嵌入的转换颗粒构成。

10.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中在所述转换层(4)和所述冷却元件(3)之间设置有辐射可穿透的粘结层(41)。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述转换层(4)与所述冷却元件(3)直接接触。

12.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述半导体层序列(1)在前侧(11)上是结构化的。

13.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述接触元件(21，22)侧向地部分地或完全地由囊封件(23)包围。

14.根据上述权利要求中任一项所述的半导体芯片(100)，

其中所述冷却元件(3)具有一个或多个功能层。