[发明专利]片式电阻器的制造方法在审
| 申请号： | 201880029658.1 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110603614A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 松本健太郎;井口夏希 | 申请（专利权）人： | KOA株式会社 |
| 主分类号： | H01C17/242 | 分类号： | H01C17/242 |
| 代理公司： | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘继富;袁波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调整槽 片式电阻器 微调 方向照射激光 高精度电阻 方向正交 固定距离 横向切割 纵向切割 电阻体 开始点 微裂纹 电极 对置 调用 分隔 制造 | ||
1.一种片式电阻器的制造方法，其特征在于，包含：
电极形成工序，在绝缘基板的表面隔开规定间隔形成一对电极；
电阻体形成工序，以与一对电极连接的方式形成矩形状的电阻体；
第1调整形成工序，一边测量所述电阻体的电阻值，一边从所述电阻体的一个侧面设置向与电极间方向正交的方向延伸的第1切口，直到测量电阻值达到比初始电阻值大且比目标电阻值小的第1目标电阻值，之后从所述第1切口的末端设置向电极间方向延伸固定距离L1的第2切口，形成L字状的第1调整槽；以及
第2调整形成工序，一边测量所述电阻体的电阻值，一边从所述第1调整槽的顶端侧的所述电阻体的一个侧面设置向与电极间方向正交的方向延伸的第3切口，直到测量电阻值达到比所述第1调整形成工序后的电阻值大且比目标电阻值小的第2目标电阻值，之后从所述第3切口的末端朝向所述第1调整槽的所述第1切口设置第4切口，直到达到目标电阻值，从而形成L字状的第2调整槽，
所述第2调整槽的所述第3切口以从所述第1调整槽的所述第1切口向一个电极的方向分隔比所述距离L1长的固定距离L2的位置作为调整开始点，从所述电阻体的一个侧面向与电极间方向正交的方向延伸。
2.根据权利要求1所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于，
所述第1目标电阻值的值根据初始电阻值决定。
3.根据权利要求1所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于，
所述第2调整槽的所述第3切口形成为超过将一个所述电极与所述电阻体的一个侧面相接的交点和所述第1调整槽的末端连接起来的假想线，且不超过所述第1调整槽的所述第1切口的长度。
4.根据权利要求2所述的片式电阻器的制造方法，其特征在于，
所述第2调整槽的所述第3切口形成为超过将一个所述电极与所述电阻体的一个侧面相接的交点和所述第1调整槽的末端连接起来的假想线，且不超过所述第1调整槽的所述第1切口的长度。
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