[发明专利]具有旁路栅极晶体管的高功率MMIC器件

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

沿着第一轴延伸的漏极触件；

沿着平行于所述第一轴的第二轴延伸的源极触件；

在所述源极触件和所述漏极触件之间延伸的栅极指；和

电连接到所述栅极指的栅极总线；

电连接到所述栅极总线的栅极跳线，其中所述栅极跳线沿着所述栅极指和所述栅极总线之间的电气路径插入；和

电连接到所述栅极指的多个间隔开的有损元件，

其中，当从上方观察所述晶体管时，有损元件中的至少一个有损元件设置在所述第一轴和所述第二轴之间的区域的一部分中，该部分在所述栅极指的第一端和第二端之间，和

其中，有损元件中的第一有损元件沿着所述栅极跳线和所述栅极指之间的电气路径插入。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中每个有损元件是栅极电阻器。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述栅极指包括彼此电连接的多个物理上不连续的栅极指段。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述不连续的栅极指段是共线的。

5.根据权利要求3-4中的任一项所述的晶体管，其中，每个栅极指段是相应的栅极分裂部的部分，所述晶体管进一步包括定位在两个相邻的栅极分裂部之间的奇模电阻器。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述源极触件包括彼此电连接的多个不连续的源极触件段。

7.根据权利要求6所述的晶体管，进一步包括：

第二源极触件，所述第二源极触件包括多个共线的不连续的源极触件段；和

奇模电阻器，所述奇模电阻器定位在所述第二源极触件的源极触件段中的两个相邻的源极触件段之间。

8.根据权利要求1-4中的任一项所述的晶体管，其中，所述栅极跳线在所述源极触件之上延伸并且与所述源极触件电绝缘。

9.根据权利要求6所述的晶体管，其中，所述栅极跳线在所述源极触件中的仅仅一些源极触件段之上延伸。

10.根据权利要求2-4中的任一项所述的晶体管，其中，所述栅极指由第一材料形成，并且每个栅极电阻器由具有比所述第一材料高的电阻的第二材料形成。

11.根据权利要求3所述的晶体管，其中，有损元件中的第一有损元件沿着栅极指段中的第一栅极指段与第一栅极信号分配条之间的电气路径插入，所述第一栅极信号分配条在所述栅极跳线与栅极指段中的所述第一栅极指段之间延伸。

12.根据权利要求11所述的晶体管，其中，奇模电阻器插入在所述第一栅极信号分配条和与所述第一栅极信号分配条共线的第二栅极信号分配条之间。

13.根据权利要求1-4中的任一项所述的晶体管，其中，所述源极触件包括彼此电连接的多个不连续的源极触件段，其中，所述栅极跳线在所述源极触件之上延伸，并且其中，第一栅极信号分配条在两个相邻的源极触件段之间的间隙中。

14.根据权利要求13所述的晶体管，进一步包括将所述栅极跳线连接到所述第一栅极信号分配条的导电插塞。