[发明专利]用于近距离放射治疗装置的聚合物涂层

权利要求书

1.一种设备，包括：

支撑件，所述支撑件包括外表面并且被配置成用于插入到受试者的身体中；

放射性核素的多个原子，所述放射性核素放射性地衰变以产生子放射性核素，所述放射性核素的多个原子被耦合至所述外表面，和

聚合物的层，其对于所述子放射性核素是可渗透的，所述聚合物的层覆盖所述原子。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述原子被设置在所述外表面上。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的设备，其中所述支撑件是圆柱形的。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的设备，其中所述放射性核素是发射α的放射性核素。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的设备，其中所述放射性核素包括镭的同位素，所述镭的同位素选自由Ra-224和Ra-223组成的同位素的组。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的设备，其中所述子放射性核素是发射α的子放射性核素。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的设备，其中所述层的厚度在0.1微米和2微米之间。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述厚度在0.1微米和1微米之间。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的设备，其中所述子放射性核素在所述聚合物中的扩散系数为至少10^-11cm²/sec。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的设备，其中所述聚合物选自由以下组成的聚合物的组：聚丙烯、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚砜。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的设备，

其中所述层是外层，

其中所述聚合物是第一聚合物，并且

其中所述设备还包括第二聚合物的内层，所述第二聚合物的内层对于所述子放射性核素是可渗透的，包覆所述外表面，所述原子通过被耦合至所述内层而被耦合至所述外表面。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述内层的内层厚度在0.1微米和2微米之间。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述内层厚度在0.1微米和1微米之间。

14.一种方法，包括：

将放射性核素的多个原子耦合至支撑件的外表面，所述放射性核素放射性地衰变以产生子放射性核素，所述支撑件被配置成用于插入到受试者的身体中；和

在将所述原子耦合至所述外表面之后，用对于所述子放射性核素是可渗透的聚合物的层覆盖所述原子。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述支撑件是圆柱形的。

16.根据权利要求14-15中任一项所述的方法，其中覆盖所述原子包括通过从所述聚合物的溶液中取出所述支撑件，使得所述聚合物的层包覆所述外表面来覆盖所述原子。

17.根据权利要求14-16中任一项所述的方法，其中所述放射性核素是发射α的放射性核素。

18.根据权利要求14-17中任一项所述的方法，其中所述放射性核素包括镭的同位素，所述镭的同位素选自由Ra-224和Ra-223组成的同位素的组。

19.根据权利要求14-18中任一项所述的方法，其中所述子放射性核素是发射α的子放射性核素。