[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法有效
申请号: | 201880029870.8 | 申请日: | 2018-04-02 |
公开(公告)号: | CN110709539B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 岸弘史;长谷部幸太;安部贵裕;藤原秀树;北原江梨子 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C03B20/00;C30B15/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杨戬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石英玻璃 坩埚 及其 制造 方法 | ||
1.一种石英玻璃坩埚,其为在基于提拉法进行的单晶硅的提拉中使用的石英玻璃坩埚,该石英玻璃坩埚的特征在于,具备:
有底圆筒状的坩埚主体,由石英玻璃制成;以及
含有结晶化促进剂的涂膜,以通过所述单晶硅的提拉工序中的加热在所述坩埚主体的表面附近形成结晶化促进剂浓缩层的方式形成于所述坩埚主体的表面,
所述含有结晶化促进剂的涂膜含有作为增稠剂发挥作用的粘性高的水溶性高分子、或者选自丙烯酸/甲基丙烯酸烷基酯共聚物、聚丙烯酸盐、聚乙烯基羧酸酰胺、乙烯基羧酸酰胺中的化合物,所述含有结晶化促进剂的涂膜中所含的结晶化促进剂为不溶于水的钡化合物,所述含有结晶化促进剂的涂膜在涂布后且在所述单晶硅的提拉开始前不被加热。
2.根据权利要求1所述的石英玻璃坩埚,其中,
所述结晶化促进剂浓缩层的厚度为0.1μm以上且50μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的石英玻璃坩埚,其中,
所述坩埚主体具有:
圆筒状直筒部;
弯曲的底部;以及
拐角部,连接所述直筒部与所述底部,
所述含有结晶化促进剂的涂膜至少形成于所述直筒部。
4.根据权利要求1或2所述的石英玻璃坩埚,其中,
所述含有结晶化促进剂的涂膜中含有的结晶化促进剂与SiO2形成双组分体系以上的玻璃的化合物。
5.一种石英玻璃坩埚,其为基于提拉法进行的单晶硅的提拉中使用的石英玻璃坩埚,该石英玻璃坩埚的特征在于,具备:
有底圆筒状的坩埚主体,由石英玻璃制成;以及
第1含有结晶化促进剂的涂膜和第2含有结晶化促进剂的涂膜,以通过所述单晶硅的提拉工序中的加热使形成于所述坩埚主体的内表面的内侧晶体层的厚度ti与形成于所述坩埚主体的外表面的外侧晶体层的厚度to之比ti/to成为0.3以上且5以下的方式,分别形成于所述内表面和所述外表面,
所述第1含有结晶化促进剂的涂膜和第2含有结晶化促进剂的涂膜含有作为增稠剂发挥作用的粘性高的水溶性高分子、或者选自丙烯酸/甲基丙烯酸烷基酯共聚物、聚丙烯酸盐、聚乙烯基羧酸酰胺、乙烯基羧酸酰胺中的化合物,所述第1含有结晶化促进剂的涂膜和第2含有结晶化促进剂的涂膜中所含的结晶化促进剂为不溶于水的钡化合物,所述第1含有结晶化促进剂的涂膜和第2含有结晶化促进剂的涂膜在涂布后且在所述单晶硅的提拉开始前不被加热。
6.根据权利要求5所述的石英玻璃坩埚,其中,
所述第1含有结晶化促进剂的涂膜中的结晶化促进剂的浓度ci与所述第2含有结晶化促进剂的涂膜中的结晶化促进剂的浓度co之比ci/co为0.3以上且20以下。
7.根据权利要求6所述的石英玻璃坩埚,
在所述提拉工序中的加热温度下所述坩埚主体的内表面侧的玻璃粘度ηi与外表面侧的玻璃粘度ηo之比ηi/ηo为0.2以上且5以下。
8.根据权利要求7所述的石英玻璃坩埚,其中,
所述第1含有结晶化促进剂的涂膜中的结晶化促进剂的浓度与所述第2含有结晶化促进剂的涂膜中的结晶化促进剂的浓度不同,
所述坩埚主体的内表面和外表面中,与结晶化促进剂的浓度高的一侧的含有结晶化促进剂的涂膜接触的面侧的玻璃粘度高于与结晶化促进剂的浓度低的一侧的含有结晶化促进剂的涂膜接触的面侧的玻璃粘度。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的石英玻璃坩埚,其中,
所述内侧晶体层和所述外侧晶体层各自的厚度的面内梯度为0.5以上且1.5以下。
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