[发明专利]供电电路在审
申请号: | 201880030527.5 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN110870200A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 阿赫迈特·阿克塔格;伊吉特·艾道根 | 申请(专利权)人: | 阿塞尔桑电子工业及贸易股份公司 |
主分类号: | H03F3/16 | 分类号: | H03F3/16 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 王宏伟;陈小钰 |
地址: | 土耳其*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供电 电路 | ||
在本发明中,一种供电电路,通过至少一个功率晶体管(P),将控制信号传输到栅极支路(G)。所述供电电路包括至少一个初级晶体管(T1),至少一个初级电阻(R1),连接在所述初级晶体管(T1)漏极支路(D)和地之间;至少一个次级电阻(R2),一侧连接到初级晶体管(T1)的源极支路(S),并连接到初级晶体管(T1)的栅极支路(G),另一侧连接到电源(A);至少一个次级晶体管(T2),从栅极支路(G)连接到初级晶体管(T1)的漏极支路(D),从漏极支路(D)连接到地,并通过来自源极支路(S)的至少一个第三电阻(R3)连接到所述电源(A);以及至少一个控制信号输出端(C),连接到所述次级晶体管(T2)的源极支路(S),通过功率晶体管(P)将控制信号传输到栅极支路(G)。
技术领域
本发明涉及特别适用于RF/MW功率放大器的片上电流可驱动栅极供电电路。
背景技术
多层大功率RF/MW功率放大器(功率晶体管)用于放大射频(RF)和微波(MW)信号的功率。在所述多层大功率RF/MW功率放大器中,待放大的RF-MW信号和控制信号连接到晶体管的栅极,从所述晶体管的漏极支路接收RF/MW信号。这里所述控制信号(栅极信号)控制晶体管的操作。然而,大功率的RF-MW信号可能在晶体管的栅极支路产生反向电流。由于该电流改变了晶体管的栅极电压,因此所述控制信号不能以期望的灵敏度控制晶体管的操作。
为了灵敏地控制所述功率放大器的操作,向晶体管提供控制电流的栅极供电电路,其对抗各种环境条件的强度应该要高。这里提到的环境条件是温度变化、阈值电压变化、电阻值变化、电源电压变化和来自栅极的电流值的变化。相关技术中的实施例使用供电电路,提供针对各种环境条件的强度。示例实施例中的供电电路包括电源,连接到电源的电阻和连接在电阻和地线之间的二极管。在二极管和电阻之间接收该实施例中的控制信号,并将控制信号提供给栅极支路。这里,栅极支路上由RF/MW信号产生的正电流在二极管上接地,因此正电流处的栅极电压几乎是恒定的。然而,在RF/MW信号在所述系统中的栅极支路产生负电流的情况下,由于电流流过电阻,所以栅极电压发生变化。所述供电电路对电阻值变化、电源电压变化等因素也没有电阻。
发明内容
本发明涉及一种供电电路,该供电电路通过至少一个功率晶体管,将控制信号传输到栅极支路。所述供电电路包括至少一个初级晶体管,至少一个初级电阻,连接在所述初级晶体管漏极支路和地之间;至少一个次级电阻,一侧连接到初级晶体管的源极支路,并连接到初级晶体管的栅极支路,另一侧连接到电源;至少一个次级晶体管,从栅极支路连接到初级晶体管的漏极支路,从漏极支路连接到地,并通过来自源极支路的至少一个第三电阻连接到所述电源;以及至少一个控制信号输出端,连接到所述次级晶体管的源极支路,通过功率晶体管将控制信号传输到栅极支路。
根据本发明公开的供电电路,由于次级晶体管的栅极支路与初级晶体管的漏极支路的连接,次级晶体管的源极支路电压受到环境因素的影响。因此,由于从连接到次级晶体管的源极支路的控制信号输出端接收控制信号,以驱动功率晶体管,所以以受控方式提供所述功率晶体管的驱动。
本发明的目的是开发一种适用于RF-MW功率放大器的有源栅极供电电路。
本发明的另一个目的是开发一种拥有高强度对抗环境条件的供电电路。
本发明的另一个目的是开发一种供电电路,即使在变化的环境条件下产生的控制信号的变化也很小。
附图说明
在下面的附图中给出了根据本发明公开的供电电路的说明性实施例的附图:
图1是供电电路的电路图。
图2是供电电路的另一个实施例的电路图。
图3是本发明的供电电路的控制信号电压根据输入信号电流值的变化图。
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