[发明专利]用于制备量子点的膦前体以及由膦前体制备的量子点

说明书

本发明涉及用于制备量子点的膦前体，以及由该膦前体制备的量子点。当使用本发明的用于制备量子点的膦前体时，可以提供具有改善的发光效率和较高的发光颜色纯度的量子点。

发明背景

(a)发明领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年5月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0061800号的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。

本发明涉及用于制备量子点的膦前体(phosphine precursor)，以及由该膦前体制备的量子点。

(b)相关技术描述

被称为量子点(QD)的纳米晶体是具有数纳米至数十纳米尺寸的晶体结构的材料；由数百个至数千个原子组成；并且根据独特的晶体结构和颗粒尺寸，具有不同于原始材料本身的独特性质的独特的电性质、磁性质、光学性质、化学性质和机械性质。并且，通过控制纳米晶体的尺寸，可以控制以上描述的性质。由于这样的性质，量子点正受到极大的关注，这是因为它们高度可能被应用于各种装置，诸如下一代发光二极管(LED)、有机/无机混合电致发光装置、无机电致发光装置、太阳能电池、晶体管等。

为了确保优良的发射光谱，要求量子点具有高的发光效率和优良的颜色纯度，其中当半峰全宽(full width at half maximum)(FWHM)较窄时颜色纯度被评估为是优良的，并且当量子点的晶体尺寸更均匀，即量子点具有更均匀尺寸的晶体时，呈现出较窄的半峰全宽。

与现有的发光材料相比，量子点由于高的发光效率和颜色再现性正受到关注，并且除此之外，使用周期表的第II-VI族化合物的量子点具有高的发光效率和发光区域，并且因此，正在进行许多关于使用周期表的第II-VI族化合物的量子点的研究。

InP量子点是代表性的第II-V族量子点，该第II-V族量子点具有从可见射线至近红外射线的宽发光区域。然而，一般来说，与基于CdSe的量子点相比，InP量子点具有稍低的发光效率和相对较低的颜色纯度，并且因此，已经进行了许多用于制备具有改善的发光效率的InP量子点的研究。

InP量子点通过使磷前体与铟前体反应来制备，并且作为磷前体，通常使用膦化合物TMSP(三(三甲基甲硅烷基)膦)。

然而，由于TMSP具有高的爆炸风险并且含有致命的毒性，并且通过已知的方法由TMSP制备的InP量子点不能被认为呈现出足够竞争性的颜色纯度，因此需要开发一种磷前体，该磷前体可以代替TMSP制备具有较窄的半峰全宽的量子点，并且具有确保的工艺稳定性。

韩国注册专利第1043311号公开了用于制备InP量子点的方法，该方法使用三(二甲基叔丁基)甲硅烷基膦(P(SiMe₂-tert-Bu)₃)代替TMSP作为磷前体。

然而，由于三(二甲基叔丁基)甲硅烷基膦，类似于TMSP，具有叔膦结构，其中三个相同的配体(二甲基叔丁基甲硅烷基基团)被引入中心原子磷(P)中，并且与使用TMSP制备的量子点相比不具有降低半峰全宽的效果，因此其不足以替代TMSP，并且需要能够制备具有较高颜色纯度的量子点的前体。

发明概述

本发明的目的是提供新颖的膦前体和由该膦前体制备的量子点，这使得能够制备具有更均匀晶体尺寸，从而呈现出高的颜色纯度的量子点。

为了解决以上问题，本发明的一个方面提供用于制备量子点的膦前体，该膦前体由以下化学式1表示：

[化学式1]

在化学式1中，

Q₁是