[发明专利]电压调节器

权利要求书

1.一种电压调节器，其包括：

传输晶体管，其耦合到输入电压节点和输出电压节点；

驱动晶体管，其中所述驱动晶体管的源极耦合到所述传输晶体管的控制输入；

第一电阻器，其耦合在所述驱动晶体管的所述源极与背栅极之间；以及

绝对温度互补CTAT电流发生器电路，其耦合到所述第一电阻器且经配置以产生使所述第一电阻器偏置的CTAT电流。

2.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述CTAT电流发生器电路包含耦合到第二电阻器的P-N结。

3.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述CTAT电流发生器电路包含第二电阻器及具有基极和发射极的双极结晶体管，其中所述第二电阻器耦合在所述基极与所述发射极之间。

4.根据权利要求3所述的电压调节器，其中所述CTAT电流发生器电路包含耦合到所述第二电阻器的电流镜，其中所述电流镜经配置以产生通过所述第一电阻器的电流，并使所述电流以比例因子n镜像通过所述第二电阻器，其中n在0与1之间。

5.根据权利要求3所述的电压调节器，其中所述CTAT电流发生器电路包含耦合到所述第二电阻器的电流镜，其中所述电流镜经配置以产生通过所述第一电阻器的电流，并使所述电流以比例因子n镜像通过所述第二电阻器，其中n是所述第一电阻器与所述第二电阻器之比。

6.根据权利要求3所述的电压调节器，其中所述第一电阻器与所述第二电阻器匹配。

7.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述驱动晶体管与所述传输晶体管匹配。

8.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述驱动晶体管是p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有与温度成反比的阈值电压。

9.根据权利要求1所述的电压调节器，其中所述CTAT电流发生器电路包含使能输入，将所述使能输入提供给开关以将所述CTAT电流发生器电路选择性地配置为所述CTAT电流发生器电路向所述第一电阻器提供所述CTAT电流的激活状态，或配置为不向所述第一电阻器提供CTAT电流的未激活状态。

10.一种电压调节器，其包括：

传输晶体管，其耦合到输入电压节点和输出电压节点，其中所述传输晶体管包括p型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述MOSFET包含栅极、源极、漏极和背栅极，并且其中所述源极连接到输入电压节点和所述背栅极，且所述漏极连接到输出电压节点；

驱动晶体管，其中所述驱动晶体管的源极耦合到所述传输晶体管的栅极；

第一电阻器，其连接在所述驱动晶体管的所述源极与背栅极之间；以及

绝对温度互补CTAT电流发生器电路，其耦合到所述第一电阻器且经配置以产生用于使所述第一电阻器偏置的CTAT电流。

11.根据权利要求10所述的电压调节器，其中所述CTAT电流发生器电路包含第二电阻器及具有基极和发射极的双极结晶体管，其中所述第二电阻器连接在所述基极与所述发射极之间。

12.根据权利要求11所述的电压调节器，其中所述CTAT电流发生器电路包含耦合到所述第二电阻器的电流镜，其中所述电流镜经配置以产生通过所述第一电阻器的电流，并使所述电流以比例因子n镜像通过所述第二电阻器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器中的每一者具有电阻值，并且其中n是所述第一电阻器的电阻值与所述第二电阻器的电阻值之比。

13.根据权利要求11所述的电压调节器，其中所述第一电阻器与所述第二电阻器匹配。

14.根据权利要求10所述的电压调节器，其中所述驱动晶体管与所述传输晶体管匹配。