[发明专利]部件制造用具及部件制造方法在审
申请号: | 201880030718.1 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN110622295A | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 林下英司 | 申请(专利权)人: | 三井化学东赛璐株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C09J7/20;C09J201/00;H01L21/301 |
代理公司: | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 部件制造 弹性模量 部件保持 框体 吸附 加热环境 延伸状态 卡盘台 开口部 膜吸附 盘台 加热 基层 覆盖 | ||
1.一种部件制造用具,其特征在于,是在半导体部件的制造方法或电子部件的制造方法中所使用的部件制造用具,
其具备具有开口部的框体和覆盖所述开口部而铺设于所述框体的保持膜,
所述框体具备环状的第1框和能够与所述第1框卡合的环状的第2框,
所述保持膜具备基层和设置在所述基层的一面侧的保持层,且以延伸的状态夹在所述第1框与所述第2框之间而被保持,
所述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1为0.2≤RE1≤1,其中,RE1=E’(100)/E’(25),并且,E’(25)为35MPa以上3500MPa以下。
2.根据权利要求1所述的部件制造用具,所述基层的线性热膨胀系数为100ppm/K以上。
3.根据权利要求1或2所述的部件制造用具,所述基层包含热塑性聚酯系弹性体、热塑性聚酰胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯中的至少1种。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的部件制造用具,所述制造方法具备下述吸附工序:将所述保持膜吸附于经加热的卡盘台的表面进行固定,所述保持膜处于选自半导体部件、所述半导体部件的前体、电子部件和所述电子部件的前体中的多个部件被保持于所述保持层的状态。
5.根据权利要求4所述的部件制造用具,在所述吸附工序后,具备下述评价工序:对所述保持膜所保持的所述部件进行评价。
6.根据权利要求5所述的部件制造用具,在所述评价工序后,具备下述拾取工序:通过仅将所述部件中的一部分部件从所述基层侧向着所述保持层侧推压,使所述保持膜进一步延伸,从而使所述一部分部件与其它部件分开而进行拾取。
7.一种部件制造方法,其特征在于,具备下述工序:
部件保持工序,将选自半导体部件、所述半导体部件的前体、电子部件和所述电子部件的前体中的多个部件保持于部件制造用具的保持层,
所述部件制造用具具备具有开口部的框体和覆盖所述开口部而铺设于所述框体的保持膜,
所述框体具备环状的第1框和能够与所述第1框卡合的环状的第2框,
所述保持膜具备基层和设置在所述基层的一面侧的所述保持层,且以延伸的状态夹在所述第1框与所述第2框之间而被保持,
所述基层的100℃时的弹性模量E’(100)与25℃时的弹性模量E’(25)之比RE1为0.2≤RE1≤1,其中,RE1=E’(100)/E’(25),并且,E’(25)为35MPa以上3500MPa以下;以及
吸附工序,将保持有所述部件的所述保持膜吸附于经加热的卡盘台的表面进行固定。
8.根据权利要求7所述的部件制造方法,在所述吸附工序后,具备下述评价工序:对被所述保持膜所保持的所述部件进行评价。
9.根据权利要求8所述的部件制造方法,在所述评价工序后,具备下述拾取工序:通过仅将所述部件中的一部分部件从所述基层侧向着所述保持层侧推压,使所述保持膜进一步延伸,从而使所述一部分部件与其它部件分开而进行拾取。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井化学东赛璐株式会社,未经三井化学东赛璐株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880030718.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板搬出方法
- 下一篇:用于使射频电路中的信号失真最小化的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造