[发明专利]绝缘膜形成用组合物、绝缘膜、及具备绝缘膜的半导体器件

权利要求书

1.一种绝缘膜形成用组合物，其包含含有硅氧烷结构单元的聚有机倍半硅氧烷作为聚合性化合物，

在所述聚有机倍半硅氧烷中，下述式(I)表示的结构单元与下述式(II)表示的结构单元的合计为硅氧烷结构单元总量的55摩尔％以上，

[R^aSiO_3/2] (I)

式(I)中，R^a表示含有环氧基的基团、取代或无取代的芳基、取代或无取代的芳烷基、取代或无取代的环烷基、取代或无取代的烷基、取代或无取代的烯基、或氢原子，

[R^aSiO_2/2(OR^b)] (II)

式(II)中，R^a与上述同义，R^b表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，

该聚有机倍半硅氧烷的数均分子量为500～10000、环氧当量为200～2000g/eq。

2.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用组合物，其中，含有环氧基的基团为选自下述式(1a)～(1d)中的至少1种基团，

式中，R^1a、R^1b、R^1c、R^1d相同或不同，表示直链或支链状的亚烷基。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘膜形成用组合物，其中，

相对于所述聚有机倍半硅氧烷100重量份，该绝缘膜形成用组合物以150重量份以下的范围包含下述化合物作为聚合性化合物，所述化合物为具有选自环氧基、氧杂环丁基、乙烯基醚基、酸酐基及酚性羟基中的至少1种聚合性基团的化合物，并且为不包含硅氧烷结构单元的化合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的绝缘膜形成用组合物，其含有阳离子聚合引发剂和/或固化促进剂。

5.一种绝缘膜，其由权利要求1～4中任一项所述的绝缘膜形成用组合物的固化物形成。

6.一种半导体器件，其具备权利要求5所述的绝缘膜。