[发明专利]日照遮蔽构件在审

专利信息
申请号: 201880031024.X 申请日: 2018-04-16
公开(公告)号: CN110650841A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 堀江裕树;加藤和广 申请(专利权)人: 中央硝子株式会社
主分类号: B32B15/01 分类号: B32B15/01;B32B9/00;C03C17/36;C03C27/12;E06B5/00;G02B1/115
代理公司: 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电介质膜 电介质层 金属膜 结晶性 低辐射膜 光学膜厚 透明基材 依次层叠 遮蔽构件 最上层 日照
【权利要求书】:

1.一种日照遮蔽构件,其在透明基材上具有低辐射膜,所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜,其特征在于,

该第1电介质膜含有:位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B,该电介质层A的光学膜厚为12~86nm,

该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层,

该结晶性电介质层的光学膜厚为5~54nm,

该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。

2.根据权利要求1所述的日照遮蔽构件,其特征在于,所述电介质层A为包含硅的氮化物层、或包含硅的氮氧化物层。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的日照遮蔽构件,其特征在于,所述电介质层B的光学膜厚为2~100nm。

4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的日照遮蔽构件,其特征在于,所述第4电介质膜为含有包含钛和氧的电介质层和包含锌和氧的非晶性电介质层的2层以上的膜。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的日照遮蔽构件,其特征在于,所述第1金属膜、所述第2金属膜和所述第3金属膜的几何膜厚总计为30~50nm,

该第2金属膜的几何膜厚相对于该第1金属膜和该第3金属膜各自的几何膜厚成为1.01~1.55的范围内。

6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的日照遮蔽构件,其特征在于,在所述第1金属膜、所述第2金属膜和所述第3金属膜上具有牺牲金属膜,

该牺牲金属膜包含选自由Ti、NiCr、Nb和不锈钢组成的组中的至少1者。

7.一种加工玻璃,其为经加热工序对玻璃板进行了加工的加工玻璃,其特征在于,该玻璃板为权利要求1至权利要求6中任一项所述的日照遮蔽构件。

8.根据权利要求7所述的加工玻璃,其特征在于,所述日照遮蔽构件的低辐射膜如下:第1电介质膜的光学膜厚为88~120nm、第2电介质膜的光学膜厚为164~190nm、第3电介质膜的光学膜厚为145~182nm和第4电介质膜的光学膜厚为100~123nm。

9.一种夹层玻璃,其为使2张以上的玻璃板介由中间树脂膜一体化而成的夹层玻璃,其特征在于,使用权利要求1至权利要求6中任一项所述的日照遮蔽构件作为该玻璃板中的至少1张。

10.根据权利要求9所述的夹层玻璃,其特征在于,所述日照遮蔽构件的低辐射膜如下:第1电介质膜的光学膜厚为57~115nm、第2电介质膜的光学膜厚为144~182nm、第3电介质膜的光学膜厚为136~182nm和第4电介质膜的光学膜厚为38~123nm。

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