[发明专利]电化学制造锗烷的方法有效
| 申请号： | 201880031037.7 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110612366B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 铃木淳 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C25B1/01 | 分类号： | C25B1/01;C25B9/19 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电化学 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电化学制造锗烷的方法，在具有隔膜、阳极和包含钯的阴极的电化学单元中，向包含锗化合物的电解液通电，在阴极使锗烷产生。
2.根据权利要求1所述的制造方法，所述电解液为包含二氧化锗和离子性物质的电解液。
3.根据权利要求2所述的制造方法，所述离子性物质为氢氧化钾或氢氧化钠。
4.根据权利要求2所述的制造方法，所述离子性物质为氢氧化钾，所述电解液中的氢氧化钾的浓度为1～8mol/L。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的制造方法，所述通电时的阴极的电流密度为30～500mA/cm2。
6.根据权利要求1～4的任一项所述的制造方法，使所述锗烷产生时的反应温度为10～100℃。
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