[发明专利]制造电极组件的设备和方法

权利要求书

1.一种制造电极组件的方法，所述方法包括：

制备隔膜和电极的制备步骤；

电极单元制造步骤，制造具有其中所述隔膜和所述电极交替设置的结构的电极单元；

预密封步骤，形成其中所述电极单元内的多个隔膜的至少部分区域彼此附接的预密封部；和

隔膜切割步骤，切割所述多个隔膜的包括所述预密封部的区域，

其中，在所述制备步骤中，在所述电极中形成凹部，

在所述预密封步骤中，在所述多个隔膜的覆盖所述电极的所述凹部的区域的至少一部分上形成所述预密封部，并且

在所述隔膜切割步骤中，在所述隔膜中形成与所述电极的所述凹部对应的凹部，

其中，在所述预密封步骤中，同时按压所述电极单元的上部和下部，以形成所述预密封部，其中按压所述电极单元的上部的上按压装置和按压所述电极单元的下部的下按压装置的每一个具有杆形状，并且

在所述预密封步骤中，所述上按压装置和所述下按压装置的每一个的一端按压所述隔膜中的与所述电极的所述凹部相邻的区域，

其中在所述电极的所述凹部中形成具有朝向所述电极弯曲的凹口形状的凹口部，并且

在所述预密封步骤中，在按压所述隔膜中的与所述电极的所述凹部相邻的区域的所述上按压装置和所述下按压装置的每一个的一端中形成有具有与所述凹口部的曲率对应的曲率的曲面。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括将在所述隔膜切割步骤中被切割的所述多个隔膜彼此结合的侧密封步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其中在所述预密封部设置成与从所述电极单元的最上表面延伸的虚拟表面向下隔开并且设置成与从所述电极单元的最下表面延伸的虚拟表面向上隔开的状态下，执行所述隔膜切割步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在所述预密封步骤中，所述上按压装置在沿厚度方向从所述电极单元的上侧朝向所述电极单元的中央向下移动的同时按压所述电极单元的上部，并且

所述下按压装置在沿厚度方向从所述电极单元的下侧朝向所述电极单元的中央向上移动的同时按压所述电极单元的下部。

5.一种制造电极组件的设备，所述设备包括：

电极单元制造装置，所述电极单元制造装置制造具有其中隔膜和电极交替设置的结构的电极单元；

预密封装置，所述预密封装置将所述电极单元内的多个隔膜的至少部分区域彼此附接，以形成预密封部；和

隔膜切割装置，所述隔膜切割装置切割所述多个隔膜的包括所述预密封部的区域，

其中在所述电极中形成有凹部，

所述预密封装置在所述多个隔膜的覆盖所述电极的所述凹部的区域的至少一部分上形成所述预密封部，并且

所述隔膜切割装置在所述隔膜中形成与所述电极的所述凹部对应的凹部，

其中所述预密封装置包括：

按压所述电极单元的上部的上按压装置；和

按压所述电极单元的下部的下按压装置，

其中所述上按压装置和所述下按压装置的每一个具有杆形状，并且

所述上按压装置和所述下按压装置的每一个的一端按压所述隔膜中的与所述电极的所述凹部相邻的区域，

其中在所述电极的所述凹部中形成有具有朝向所述电极弯曲的凹口形状的凹口部，并且

在按压所述隔膜中的与所述电极的所述凹部相邻的区域的所述上按压装置和所述下按压装置的每一个的一端中形成有具有与所述凹口部的曲率对应的曲率的曲面。

6.如权利要求5所述的设备，进一步包括：将被所述隔膜切割装置切割的所述多个隔膜彼此结合的侧密封装置。

7.如权利要求5所述的设备，进一步包括：支撑所述电极单元和所述预密封部的支撑装置，

其中所述支撑装置包括：

支撑所述电极单元的底表面的第一支撑表面；和

相对于所述第一支撑表面来说形成台阶并且向上突出以支撑所述预密封部的第二支撑表面。

8.如权利要求5所述的设备，其中所述上按压装置在沿厚度方向从所述电极单元的上侧朝向所述电极单元的中央向下移动的同时按压所述电极单元的上部，并且

所述下按压装置在沿厚度方向从所述电极单元的下侧朝向所述电极单元的中央向上移动的同时按压所述电极单元的下部。