[发明专利]功率半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种功率模块，其特征在于，

具备：半导体器件、配置于所述半导体器件的上表面的器件上接合层、以及配置于所述半导体器件的上表面且与所述器件上接合层接合的金属引线，

所述金属引线具有金属的层叠结构，

所述半导体器件在绝缘基板上配置多个，

所述金属引线在平面观察时呈梳齿形状配置于所述多个半导体器件的上表面。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，

所述金属引线具备具有5×10^-6/℃以下的热膨胀系数的第2金属层、以及夹着所述第2金属层且具有所述第2金属层的热膨胀系数以上的热膨胀系数的第1金属层和第3金属层的3层结构。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述第2金属层具备Fe-Ni系或Fe-Ni-Co系合金，所述第1金属层和所述第3金属层具备铜、铜合金、铝、铝合金中的任一种。

4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述金属引线具备Cu/因瓦合金/Cu的层叠结构，厚度比具有1:0.5:1～1:20:1的范围。

5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述金属引线是通过压延加工形成的。

6.根据权利要求5所述的功率模块，其特征在于，所述金属引线是通过弯曲加工形成的。

7.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，

具备配置于所述绝缘基板上的器件下接合层，

所述半导体器件隔着所述器件下接合层配置于所述绝缘基板上。

8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述绝缘基板为DBC基板、DBA基板或AMB基板中的任一种。

9.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，平面观察时所述金属引线的表面具有与所述绝缘基板平行的平坦面。

10.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述器件上接合层具备Ag烧成层或Cu烧成层。

11.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块形成一对一、二合一、四合一、六合一或七合一型中的任一种。

12.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述半导体器件具备IGBT、二极管、Si系MOSFET、SiC系MOSFET、GaNFET中的任一种。

13.一种功率半导体装置，其特征在于，

具备：

基板、

配置于所述基板上的第1电极图案、第2电极图案、第1信号电极图案和第2信号电极图案、

配置于所述基板上且在表面侧具有第1衬垫电极和第2衬垫电极的半导体器件、

配置于所述第1电极图案上的器件下接合层、

配置于所述第1衬垫电极上的器件上接合层、

配置于所述第2电极图案上的接合层、

与所述第2电极图案上的接合层和所述器件上接合层接合的第1金属引线、

连接于所述第1衬垫电极与所述第1信号电极图案之间的第1信号线、以及

连接于所述第2衬垫电极与所述第2信号电极图案之间的第2信号线，

所述第1金属引线具有金属的层叠结构。