[发明专利]用于生产含碳化硅结构的方法、组合物和设备

权利要求书

1. 一种特别是通过增材制造来制造含碳化硅的结构的方法，

其特征在于

（a）在第一方法步骤中，施加含碳和含硅的溶液或分散体、特别是SiC前体溶胶，优选含碳和硅的液体、尤其是SiC前体溶胶的层至基体，和

（b）在第一方法步骤（a）之后的第二方法步骤中，将含碳和含硅的溶液或分散体，优选地将含碳和含硅的溶液或分散体的层，特别是至少在某些区域中，通过能量的作用转化为含碳化硅的化合物，从而产生含碳化硅的结构的一部分，特别是一层，

其中重复方法步骤（a）和（b），直到获得含碳化硅的结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含碳化硅的化合物选自碳化硅、非化学计量的碳化硅、掺杂的碳化硅和碳化硅合金。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，将所述含碳和含硅的溶液或分散体，特别是所述SiC前体溶胶，以0.1至250μm，特别是0.2至100μm，优选0.5至50μm，更优选1至25μm范围的层厚施加到所述基体上。

4.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，通过涂覆方法将所述含碳和含硅的溶液或分散体，特别是所述SiC前体溶胶，施加到所述基体上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述涂覆方法选自旋转涂覆、浸涂、喷涂和印刷方法，特别是喷墨印刷。

6.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，所述含碳和含硅的溶液或分散体，特别是前体溶胶，在整个表面上或局部地，特别是区域选择性地施加到所述基体上。

7.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，至少在某些区域中，通过能量的作用将所述含碳和含硅的溶液或分散体，特别是所述SiC前体溶胶加热至1600至2100℃，特别是1700至2000℃，优选为1700至1900℃的温度范围。

8.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，在第二方法步骤（b）中，通过电磁辐射，特别是通过激光辐射来实现能量的作用。

9.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，所述能量的作用，特别是通过电磁辐射的方式，是局部受限的，特别是区域选择性的。

10.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，所述含碳和含硅的溶液或分散体，特别是所述SiC前体溶胶，根据布鲁克菲尔德在25℃下具有的动态粘度为3至500mPas，特别是4至200mPas，优选5至100mPas。

11.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，在方法步骤（a）中使用几种不同的含碳和含硅的溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在方法步骤（a）中，使用不同的散布装置，特别是喷嘴，将不同的含碳和含硅的溶液或分散体，特别是SiC前体溶胶，施加至基体。

13.根据前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，至少方法步骤（b）在保护性气体气氛，特别是惰性气体气氛中进行。

14. 含碳化硅的结构，可通过根据权利要求1至13任一项所述的方法获得。

15.组合物，特别是SiC前体溶胶，以溶液或分散体的形式，包含

（A）至少一种含硅化合物，

（B）至少一种含碳化合物，

（C）至少一种溶剂或分散剂； 和

（D）任选地，掺杂和/或合金试剂。

16.根据权利要求15所述的组合物，其特征在于，所述溶剂或分散剂选自水和有机溶剂及其混合物，优选其混合物。