[发明专利]在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层

权利要求书

1.一种在基板上形成硬掩膜的方法，包括：

将具有目标层的基板定位在处理腔室内；

在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层，其中在所述种晶层中，硅的浓度比所述金属硅化物中的金属的浓度更高；和

在所述种晶层上沉积钨基主体层，所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成所述硬掩膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层包括：

(A)以第一时段使金属六氟化物从气体施加器流动到所述处理腔室中；

(B)以第二时段从所述处理腔室移除所述金属六氟化物；

(C)以第三时段使硅烷从所述气体施加器流动到所述处理腔室中；

(D)以第四时段从所述处理腔室移除所述硅烷，所述第一、第二、第三和第四时段构成时间周期；和

(E)重复(A)、(B)、(C)和(D)。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述种晶层前使所述目标层暴露于硅烷。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

图案化所述硬掩膜；

穿过图案化的所述硬掩膜蚀刻所述目标层；和

移除所述硬掩膜。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述目标层包括氧化硅、氮化硅、非晶硅与多晶硅中的至少一个。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述钨基主体层包括钨、碳化钨、氮化钨、碳氮化钨、碳化硼钨与氮化硼钨中的至少一个。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述种晶层的厚度在1nm到100nm之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述钨基主体层的厚度在10nm到5000nm之间。

9.一种在基板上形成层的方法，包括：

将具有目标层的基板定位在处理腔室内；

在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层，其中在所述种晶层中，硅的浓度比所述金属硅化物中的金属的浓度更高；

在所述种晶层上沉积钨基主体层，所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜；

使惰性气体从气体施加器流动到所述处理腔室中，所述惰性气体包括氩气或氦气；

在所述处理腔室内激励等离子体；和

在所述等离子体存在的情况下在所述目标层上形成所述包括所述金属硅化物的种晶层。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成所述种晶层包括：

(A)以第一时段使与氩气混合的金属六氟化物从所述气体施加器流动到所述处理腔室中；

(B)以第二时段从所述处理腔室移除所述与氩气混合的金属六氟化物；

(C)以第三时段使与氦气混合的硅烷从所述气体施加器流动到所述处理腔室中；

(D)以第四时段从所述处理腔室移除所述与氦气混合的硅烷，所述第一、第二、第三和第四时段构成时间周期；和

(E)重复(A)、(B)、(C)和(D)。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述种晶层包括硅化钨、硅化钛或硅化钼。

12.如权利要求9所述的方法，其中形成所述种晶层进一步包括：

形成富含硅的种晶层。