[发明专利]产生负温度系数电阻器传感器的方法

权利要求书

1.一种产生负温度系数电阻器传感器(17、18、19)的方法，其特征在于，该方法包括步骤：

－提供包括在气胶生产单元(6)中的未锻烧粉末(8)及载体气体(9’)的混合物(3)，该未锻烧粉末(8)包括金属氧化物组成(9.1、9.2、9.3、9.x)；

－由该混合物(3)及该载体气体(9’)形成气胶(9)并且于真空中加速该气胶(9)朝向配置在沉积腔体(4)中的基板(2)；

－形成该混合物的该未锻烧粉末(8)的薄膜(10)于该基板(2)上；以及

－通过施加热处理步骤转换该薄膜(10)成为尖晶石基材料层(13)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

该热处理步骤是在低于1000℃的温度下进行。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

该热处理步骤是在600℃至1000℃的范围中的温度下进行。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，

该热处理步骤是在780℃至1000℃的范围中的温度下进行。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该热处理步骤在大气压力下进行，其中，该大气压力具有控制的氧分压。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

该载体气体(9’)是选择来自由氧、氮、惰性气体及该气体的组合所组成的群组的元素。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

该未锻烧的粉末(8)包括选自在50 nm至10 μm的范围中的颗粒尺寸。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

该形成的尖晶石基材料层(13)包括由锰、镍、钴、铜、铁、铬、铝、镁、锌、锆、镓、硅、锗及锂所组成的群组的元素的两个或两个以上的阳离子所组成的尖晶石。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，

该形成的尖晶石基材料层(13)是通过下列化学式的其中一个所描述者：

M_xMn_3-xO₄、M_xM'_yMn_3-x-yO₄及M_xM'_yM''_zMn_3-x-y-zO₄

其中，M、 M'及 M''是选择来自由镍、钴、铜、铁、铬、铝、镁、锌、锆、镓、硅、锗及锂所组成的群组的元素；以及其中，该未锻烧的粉末包括至少一个M、M'及M''的化合物。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

该未锻烧粉末(8)包括至少两个不同的金属氧化物组成(9.1、9.2、9.3、9.x)。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

该混合物(3)包括至少一个填覆材料成分(15)。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

还包括形成至少一个另外的层(11)或结构(12)于该基板(2)上、在施加该热处理步骤之前的该薄膜(10)及该尖晶石基材料层(13)的至少一个上的步骤。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，

还包括烧结该至少一个另外的层(11)或结构(12)的步骤，

其中，该热处理步骤是施加作为单一热处理用于转换该薄膜(10)成为尖晶石基材料层(13)及用于烧结该至少一个另外的层(11)或结构(12)。