[发明专利]半导体装置布局及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体装置层，所述半导体装置层具有形成在所述半导体装置层中的源极区和重掺杂本体区；

栅极介电层，所述栅极介电层设置在所述半导体装置层和栅极电极之间；

介电层，所述介电层设置在所述栅极电极上方；以及

栅极叠层，所述栅极叠层包括所述栅极介电层的一部分和所述栅极电极的一部分，其中，所述栅极叠层邻近源极区形成，并且其中，所述栅极叠层未邻近所述重掺杂本体区形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述重掺杂本体区包括p+本体区。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述重掺杂本体区包括高度补偿的p+本体区。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括形成在所述半导体装置层中的阱区，其中，所述源极区和所述阱区在横向上邻近所述重掺杂本体区。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述源极区和所述阱区邻近所述栅极叠层并且在所述栅极叠层下方。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极介电层的厚度在大致30nm至80nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括场氧化物层，所述场氧化物层邻近所述重掺杂本体区并且在所述重掺杂本体区的顶部，以及在栅极金属层下方并且邻近所述栅极金属层形成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述场氧化物层的厚度在大致0.5μm至1μm的范围内。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括邻近所述重掺杂本体区并且在所述重掺杂本体区的顶部形成的本体接触件。

10.一种半导体装置，包括：

半导体装置层；

本体区，所述本体区形成在所述半导体装置层中；以及

介电层，所述介电层设置在所述半导体层和栅极电极之间，其中，设置在所述本体区上方的所述介电层的一部分的厚度大于约0.5μm。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：

阱区，所述阱区在所述半导体装置层中形成；

源极区，所述源极区在所述半导体装置层中并且邻近所述阱区形成；

栅极介电层，所述栅极介电层邻近所述源极区形成，其中，所述栅极介电层未邻近所述本体区形成；

其中，所述介电层邻近所述栅极介电层、所述本体区以及所述源极区中的每一个。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，还包括在所述场氧化物层和所述栅极介电层中的每一个的顶部上并且邻近所述场氧化物层和所述栅极介电层中的每一个形成的栅极金属层。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括在所述本体区的顶部并且邻近所述本体区形成的源极接触件。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述源极区包括具有第一掺杂浓度的第一导电类型，并且其中，所述本体区的顶部包括具有第二掺杂浓度的第二导电类型，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同，并且其中，所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度不同。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述第一导电类型是n+，并且其中，所述第二导电类型是p+。

16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述第一掺杂浓度低于所述第二掺杂浓度。