[发明专利]红外线摄像元件、红外线摄像阵列以及红外线摄像元件的制造方法

权利要求书

1.一种红外线摄像元件，其特征在于，

包括第1基板和第2基板，

所述第1基板具备：

支撑脚布线；

第1金属层，设置于所述支撑脚布线；以及

红外线探测部，保持于所述支撑脚布线之上，设置有经由所述支撑脚布线与所述第1金属层电连接的二极管，

所述第2基板具备：

第2基板侧基板，具有表面和背面，在表面侧设置有电路部；以及

第2金属层，与所述电路部电连接，

所述第1基板和所述第2基板贴合从而所述第1金属层和所述第2金属层接合，

将所述红外线探测部的温度变化作为所述二极管的电信号的变化而用所述电路部检测，其中，

所述第2基板侧基板、所述支撑脚布线以及所述红外线探测部在与所述第2基板侧基板的表面垂直的方向Z相互隔开间隔而层叠，

所述支撑脚布线的一端与设置于所述第2基板侧基板的表面上的所述第2金属层之上的、成为微凸块的所述第1金属层连接，另一端与设置于所述红外线探测部的金属布线连接，

在所述支撑脚布线的、与所述第2金属层连接的部分的正上方设置与设置于所述红外线探测部的金属布线同层的金属布线，在其之上设置有微凸块接合强度增强梁，红外线探测部包括BOX氧化膜和绝缘膜，该微凸块接合强度增强梁包括从所述红外线探测部分离的BOX氧化膜和绝缘膜，增强所述微凸块的接合强度，所述支撑脚布线的一端通过与设置于所述红外线探测部的金属布线同层的金属层与所述微凸块接合强度增强梁连接。

2.根据权利要求1所述的红外线摄像元件，其特征在于，

所述红外线探测部的与所述第2基板侧基板相反的一侧的表面具备电磁波吸收构造体。

3.根据权利要求2所述的红外线摄像元件，其特征在于，

所述电磁波吸收构造体从由形成于所述红外线探测部之上的周期构造的突起部、设置于所述红外线探测部的表面的纹理构造部以及设置于所述红外线探测部之上的红外线吸收膜构成的群选择。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的红外线摄像元件，其特征在于，

所述红外线探测部具有与所述第2基板侧基板的表面垂直的方向的膜厚部分地薄的区域。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的红外线摄像元件，其特征在于，

在所述第2基板侧基板的表面上设置有红外线反射膜。

6.一种红外线摄像阵列，其特征在于，

阵列状地配置有权利要求1～5中的任意一项所述的红外线摄像元件。

7.根据权利要求6所述的红外线摄像阵列，其特征在于，

所述电路部跨越邻接的所述红外线摄像元件之间而设置。

8.一种红外线摄像元件的制造方法，其特征在于，包括：

准备第1基板的工序，其中包括：

准备SOI基板的工序，该SOI基板在第1基板侧基板之上具有BOX氧化膜和硅层，

对所述硅层进行加工而形成二极管的工序，

在所述BOX氧化膜之上形成绝缘膜之后，使所述绝缘膜开口而使所述二极管的表面露出，形成与所述二极管连接的第1金属布线和在所述绝缘膜的一部分之上形成的第2金属布线的工序，

在所述BOX氧化膜之上形成牺牲层的工序，

在所述牺牲层之上形成一端与所述第1金属布线连接的支撑脚布线的工序，以及

在形成于所述绝缘膜之上的所述第2金属布线的正上方的、所述支撑脚布线之上形成第1金属层，将所述第1金属层与所述支撑脚布线的另一端连接的工序；

准备第2基板的工序，其中包括：

准备具有表面和背面的第2基板侧基板的工序，

在所述第2基板侧基板的表面侧形成电路部的工序，以及

形成与所述电路部电连接的第2金属层的工序；

以使所述第1基板的表面和所述第2基板的表面对置的方式接合所述第1金属层和所述第2金属层的工序；

将所述第1基板侧基板从背面侧去除而使所述BOX氧化膜露出的工序；

去除所述牺牲层的工序；以及

部分地去除所述BOX氧化膜和所述绝缘膜，在经由所述支撑脚布线连接到所述第1金属层之上的所述第2金属布线之上，形成微凸块接合强度增强梁的工序，该微凸块接合强度增强梁与红外线探测部同样地包括所述BOX氧化膜和所述绝缘膜，从所述红外线探测部分离。