[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种包括半导体开关元件的半导体器件，其特征在于，包括：

第一绝缘基片，其安装有所述半导体开关元件；和

第二绝缘基片，其具有绝缘层，在所述绝缘层的一个表面具有配线层和金属层，

所述绝缘层的所述一个表面和所述第一绝缘基片的安装有所述半导体开关元件的表面彼此相对地配置，

所述配线层形成在陶瓷层的内部，该陶瓷层形成在所述绝缘层的所述一个表面，

所述半导体开关元件的栅极端子与所述配线层经由用导电材料形成的连接部和第一接合材电连接，

所述半导体开关元件的除所述栅极端子以外的端子与所述金属层经由第二接合材电连接，

从所述绝缘层的所述一个表面到所述连接部的所述第一绝缘基片侧的端部的距离，大于从所述绝缘层的所述一个表面到所述金属层的所述第一绝缘基片侧的表面的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述连接部形成为从所述配线层向所述栅极端子突出的突起。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

所述连接部具有从所述绝缘层向所述栅极端子去前端变细的形状。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

所述连接部具有弹簧结构。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述连接部形成为配置在所述第一接合材的内部的芯部件。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一绝缘基片还安装有二极管芯片，

所述陶瓷层形成于以下位置，即：在将所述第一绝缘基片和所述第二绝缘基片投影到相对面上时，与所述半导体开关元件重叠且与所述二极管芯片不重叠的位置。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体开关元件为IGBT或MOSFET，

所述陶瓷层形成于以下位置，即：在将所述第一绝缘基片和所述第二绝缘基片投影到相对面上时，与所述半导体开关元件的栅极端子重叠的位置，

所述金属层配置于以下位置，即：在将所述第一绝缘基片和所述第二绝缘基片投影到相对面上时，与所述陶瓷层不重叠且与所述半导体开关元件的发射极端子重叠的位置。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一绝缘基片在没有安装所述半导体开关元件的表面具有散热层，

所述第二绝缘基片在不具有所述配线层和所述金属层的另一个表面具有散热层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体开关元件为IGBT或MOSFET，

所述第一绝缘基片在安装有所述半导体开关元件的表面上具有金属层，所述第一绝缘基片的金属层与所述半导体开关元件的集电极端子电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一绝缘基片安装有多个所述半导体开关元件，

所述配线层具有矩形的平板形状，

所述配线层形成于以下位置，即：在将所述第一绝缘基片和所述第二绝缘基片投影到相对面上时，与各所述半导体开关元件的栅极端子重叠的位置。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一绝缘基片安装有多个所述半导体开关元件，

所述配线层具有向各所述半导体开关元件的栅极端子分支的形状。