[发明专利]用于制造器件的量测传感器、光刻设备和方法

权利要求书

1.一种量测传感器设备，包括：

照射系统，该照射系统能够操作以用照射辐射照射衬底上的量测标记；

光学收集系统，该光学收集系统配置成在由所述量测标记散射所述照射辐射之后收集散射辐射；和

依赖于波长的空间滤光器，该依赖于波长的空间滤光器用于在空间上过滤所述散射辐射，所述依赖于波长的空间滤光器具有依赖于所述散射辐射的波长的空间轮廓。

2.根据权利要求1所述的量测传感器设备，其中，所述依赖于波长的空间滤光器包括遮蔽件，所述遮蔽件用于阻挡所述散射辐射的零衍射阶，其中所述遮蔽件的有效尺寸取决于所述散射辐射的波长。

3.根据权利要求2所述的量测传感器设备，其中，所述遮蔽件的用于第一波长范围内的散射辐射的有效尺寸比用于第二波长范围内的散射辐射的有效尺寸大。

4.根据任一前述权利要求所述的量测传感器设备，其中，所述依赖于波长的空间滤光器包括至少一个第一滤光器和至少一个第二滤光器，所述第一滤光器能够操作以实质上透射所述第一波长范围内的散射辐射且实质上阻挡所述第二波长范围内的散射辐射，所述第二滤光器能够操作以实质上阻挡至少在所述第一波长范围和所述第二波长范围内的散射辐射。

5.根据权利要求4所述的量测传感器设备，其中，所述第一滤光器和所述第二滤光器在光学上被对准，并且所述第一滤光器和所述第二滤光器的组合限定用于所述第一波长范围内的散射辐射的第一空间轮廓和用于所述第二波长范围内的散射辐射的第二空间轮廓。

6.根据权利要求4或5所述的量测传感器设备，其中所述第一滤光器包括二向色滤光器。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的量测传感器设备，其中，所述量测传感器设备至少能够在利用所述第一波长范围内的照射辐射的第一操作阶段和利用所述第二波长范围的照射辐射的第二操作阶段操作。

8.根据权利要求7所述的量测传感器设备，其中，所述第一操作阶段包括在第一量测标记上执行的粗定位阶段，并且所述第二操作阶段包括在第二量测标记上执行的精定位阶段，所述第一量测标记的节距大于所述第二量测标记的节距。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的量测传感器设备，其中，所述第二滤光器包括用于透射所述散射辐射的非零衍射阶的一个或更多个孔，并且所述第一滤光器与所述一个或更多个孔中的每个孔的内部部分在光学上被对准。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的量测传感器设备，其中，所述第二滤光器包括用于将所述照射辐射引导到所述量测标记上的点反射镜。

11.根据任一前述权利要求所述的量测传感器设备，其中：

所述照射辐射包括第一偏振态；

所述量测标记包括主结构并且能够操作以相对于所述第一偏振态改变所述散射辐射的主要由所述主结构散射得到的第一部分的偏振态和主要由除所述主结构之外的一个或更多个特征散射得到的辐射的第二部分的偏振态中的至少一个，使得所述散射辐射的所述第一部分的偏振态不同于所述散射辐射的所述第二部分的偏振态；并且

所述依赖于波长的空间滤光器包括偏振滤光器，所述偏振滤光器能够操作以基于所述散射辐射的所述第二部分的偏振态基本上过滤掉所述散射辐射的所述第二部分。

12.根据权利要求11所述的量测传感器设备，其中，所述散射辐射的所述第二部分主要包括已经被在所述主结构上方形成的至少一个或更多个层散射的辐射。

13.根据权利要求11或12所述的量测传感器设备，其中，所述量测标记能够操作以在不改变所述散射辐射的所述第二部分的偏振态的同时将所述散射的辐射的所述第一部分的偏振态改变为第二偏振态，使得所述散射辐射的所述第二部分基本上保持所述第一偏振态。