[发明专利]穿孔金属箔、穿孔金属箔的制造方法、二次电池用负极及二次电池用正极

权利要求书

1.一种在金属箔的厚度方向上具有多个贯穿孔的穿孔金属箔，其中，

基于所述贯穿孔的平均开口率为0.5％～10％，并且所述贯穿孔的数密度为50个/mm²～200个/mm²，

所述金属箔为选自由铜箔、银箔、金箔、铂箔、不锈钢箔、钛箔、钽箔、钼箔、铌箔、锆箔、钨箔、铍铜箔、磷青铜箔、黄铜箔、镍银箔、锡箔、锌箔、铁箔、镍箔、坡莫合金箔、镍铬合金箔、42合金箔、可伐合金箔、蒙乃尔合金箔、因科镍合金箔及哈斯特洛依合金箔组成的组中的箔，或为选自所述组中的箔与不同于所选择的箔的种类的金属层叠而成的箔。

2.根据权利要求1所述的穿孔金属箔，其中，

所述金属箔为不锈钢箔或镀镍钢箔。

3.根据权利要求1或2所述的穿孔金属箔，其中，

未形成所述贯穿孔的状态的所述金属箔的断裂强度为340N/mm²以上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的穿孔金属箔，其中，

所述贯穿孔的平均开口率为1％～10％。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的穿孔金属箔，其中，

所述贯穿孔的数密度为80个/mm²～200个/mm²。

6.根据权利要求1或2所述的穿孔金属箔，其中，

所述金属箔为铜箔。

7.根据权利要求6所述的穿孔金属箔，其中，

基于XRF分析，所述铜箔中卤素的检测量为0.4质量％以下。

8.一种二次电池用负极，其具有：

负极集电体，由权利要求1至7中任一项所述的穿孔金属箔形成；及

活性物质层，形成于所述负极集电体的表面，且包含负极活性物质，

所述负极活性物质为硅、锡及它们的氧化物中的至少1种。

9.一种二次电池用正极，其具有：

正极集电体，由权利要求1至7中任一项所述的穿孔金属箔形成；及

活性物质层，形成于所述正极集电体的表面，且包含正极活性物质，

所述正极活性物质为硫或含有硫的化合物中的至少1种。

10.一种穿孔金属箔的制造方法，其为制造权利要求1至7中任一项所述的穿孔金属箔的方法，

所述制造方法具有在所述金属箔形成贯穿孔的贯穿孔形成工序，

通过所述贯穿孔形成工序形成平均开口率为0.5％～10％且数密度为50个/mm²～200个/mm²的贯穿孔。

11.根据权利要求10所述的穿孔金属箔的制造方法，其中，

所述金属箔为铜箔，

所述制造方法具有在形成所述贯穿孔之后利用选自由盐酸、氨水、硫代硫酸钠及乙醇组成的组中的至少1种进行清洗的残渣去除工序。