[发明专利]嵌段共聚物及其制造方法、环氧树脂组合物及其固化物及半导体密封材料有效

专利信息
申请号: 201880032630.3 申请日: 2018-05-24
公开(公告)号: CN110637047B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 田中宽子;井砂友香;浅野到;竹崎宏;御山寿;本田史郎 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: C08G81/00 分类号: C08G81/00;C08L63/00;C08L71/02;C08L83/12;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 王磊;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 共聚物 及其 制造 方法 环氧树脂 组合 固化 半导体 密封材料
【说明书】:

一种聚硅氧烷‑聚亚烷基二醇嵌段共聚物,是使具有选自羧酸酐基、羟基、环氧基、羧基和氨基中的任一官能团的聚硅氧烷(A)、以及具有选自羧酸酐基、羟基、羧基、氨基、环氧基、硫醇基和异氰酸酯基中的任一官能团的聚亚烷基二醇(B)反应而获得的聚硅氧烷‑聚亚烷基二醇嵌段共聚物,将嵌段共聚物设为100质量%,来源于聚硅氧烷(A)的结构的含量为20质量%以上且90质量%以下。本发明的聚硅氧烷‑聚亚烷基二醇嵌段共聚物在配合于环氧树脂的情况下,在环氧树脂中均质地微分散,可以抑制嵌段共聚物从所得的环氧树脂固化物的渗出,可以实现环氧树脂固化物的低应力化和韧性提高。

技术领域

本发明涉及嵌段共聚物及其制造方法、包含该嵌段共聚物的环氧树脂组合物及其固化物以及半导体密封材料。

背景技术

保护半导体不受热、冲击影响的半导体密封材料一般由环氧树脂、固化剂、填料和低应力化剂、阻燃剂等各种添加剂构成。近年来,半导体的高集成化进展,与此对应半导体的芯片尺寸也变大,但另一方面,关于半导体的封装,小型化、薄型化进展。因此,具有易于发生由封装成型时的热冲击引起的裂缝的发生、由引线框、芯片与密封树脂的剥离引起的封装的破损等这样的问题。根据这样的背景,对今后日益增加的车载用半导体、功率半导体等工作温度变为更高温的半导体的密封材料,要求更进一步的低应力性、流动性、耐热性等的提高。其中,公开使用了有机硅粒子作为低应力化剂的半导体密封材料的低弹性模量化技术(专利文献1)。

另一方面,作为使低应力化剂对基体树脂的相容性提高的技术,公开了在有机硅的两末端修饰了聚亚烷基二醇链的ABA型的三嵌段共聚物(专利文献2)、向由不具有官能团的有机硅和聚亚烷基二醇形成的多嵌段共聚物的末端赋予缩水甘油基的方法(专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2013-189490号公报

专利文献2:日本特开平10-182831号公报

专利文献3:日本特开平4-359023号公报

发明内容

发明所要解决的课题

作为添加于半导体密封材料的低应力化剂的特性,除了低弹性模量化以外,还要求用于改善制造半导体密封材料的操作效率的流动性的提高、用于高强度化的向基体树脂的微分散化等进一步的附加价值。

另一方面,在有机硅的两末端修饰了聚亚烷基二醇链的ABA型的三嵌段共聚物、由不具有官能团的有机硅和聚亚烷基二醇形成的共聚物具有向基体树脂的粗大分散、从环氧树脂固化物的渗出等课题。

本发明的课题是提供不损害耐热性,具有高的向环氧树脂的分散性,在添加于环氧树脂组合物的情况下,抑制流动性降低,达到所得的环氧树脂固化物的低应力化和韧性提高,并且嵌段共聚物被微分散,渗出也被抑制的嵌段共聚物。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题,本发明人等进行了深入研究,结果完成下述发明。

即本发明是:

“<1>一种聚硅氧烷-聚亚烷基二醇嵌段共聚物,是使具有选自羧酸酐基、羟基、环氧基、羧基和氨基中的任一官能团的聚硅氧烷(A)、以及具有选自羧酸酐基、羟基、羧基、氨基、环氧基、硫醇基和异氰酸酯基中的任一官能团的聚亚烷基二醇(B)反应而获得的聚硅氧烷-聚亚烷基二醇嵌段共聚物,将嵌段共聚物设为100质量%,来源于聚硅氧烷(A)的结构的含量为20质量%以上且90质量%以下。

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