[发明专利]半导体光元件

权利要求书

1.一种半导体光元件，包括：

第一芯层，包括活性区域，该活性区域包括化合物半导体；

第一包层和第二包层，夹持所述第一芯层，所述第一包层包括p型半导体，所述第二包层包括n型半导体；以及

第三包层，设于所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层的下部，

所述半导体光元件的特征在于，

所述第三包层构成为包含热传导率比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个大，折射率比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个小，带隙比所述第一芯层、所述第一包层以及所述第二包层中的任一个大的材料，

当将光的动作波长设为λ，将所述第一芯层的平均的折射率设为n_core，将所述第三包层的材料的折射率设为n_clad时，所述第一芯层的厚度t满足

的关系。

2.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，

所述第三包层由一种材料构成。

3.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，

构成所述第三包层的材料包含碳化硅SiC、氮化镓GaN、金刚石C、氮化铝AlN、氮化硼BN中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，

所述第三包层由不同的两种材料构成。

5.根据权利要求4所述的半导体光元件，其特征在于，

构成所述第三包层的所述两种材料的一种为热传导率大的半导体，另一种为折射率小且带隙大的绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的半导体光元件，其特征在于，

所述绝缘材料的层的厚度被规定为将光限制在芯体但能得到散热效果的程度。

7.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，

在所述第三包层中插入第二芯层，所述第一芯层与所述第二芯层光学耦合。

8.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，

所述第一包层、所述第一芯层、所述第二包层沿所述第三包层的面配置，

针对所述第一芯层的注入电流的方向为沿所述第三包层的面大致平行的方向。

9.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，

所述第一包层、所述第一芯层、所述第二包层垂直于所述第三包层的面地配置，

针对所述第一芯层的注入电流的方向为垂直于所述第三包层的面的方向。