[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；

沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；

沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；

第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；

第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及

漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述沟槽源极构造的纵横比大于上述沟槽栅极构造的纵横比。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述沟槽源极构造的纵横比为0.5以上且18.0以下。

4.根据权利要求1～3任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

在上述半导体层中，耗尽层从上述半导体层以及上述阱区域的边界区域向比上述栅极沟槽的底壁更靠上述第2主面侧的区域扩展。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述耗尽层与上述栅极沟槽的底壁重叠。

6.根据权利要求1～5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述阱区域形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的侧壁的区域。

7.根据权利要求1～5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述阱区域形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的底壁的区域。

8.根据权利要求1～5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述阱区域连续地形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的侧壁、底壁、以及连接上述侧壁及上述底壁的角部的区域。

9.根据权利要求1～8任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述阱区域与上述主体区域连接。

10.根据权利要求1～9任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述沟槽源极构造包括势垒形成层，该势垒形成层介于上述源极沟槽以及上述源极电极之间的区域，具有比上述阱区域以及上述源极电极之间的电位势垒高的电位势垒。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述势垒形成层包括由绝缘材料形成的绝缘性势垒形成层。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述势垒形成层包括由与上述源极电极的导电材料不同的导电材料形成的导电性势垒形成层。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述势垒形成层包括：由绝缘材料形成的绝缘性势垒形成层；以及由与上述源极电极的导电材料不同的导电材料形成的导电性势垒形成层。

14.根据权利要求10～13任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

上述势垒形成层沿上述源极沟槽的侧壁、底壁、以及连接上述侧壁及上述底壁的角部而形成。