[发明专利]氮化铝质烧结体以及半导体保持装置在审
| 申请号： | 201880033185.2 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110662728A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王雨丛;佐藤政宏;口町和一 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝 晶体颗粒 复合氧化物 复合氮氧化物 烧结体 稀土类元素 保持装置 金属元素 晶体结构 静电吸附 石榴石型 半导体 散布 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化铝质烧结体，其包含：
含有Mg的氮化铝的晶体颗粒；
具有石榴石型的晶体结构且含有稀土类元素和Al的复合氧化物；以及
含有Mg和Al的复合氮氧化物，
在所述氮化铝的晶体颗粒间散布有颗粒状的所述复合氧化物以及所述复合氮氧化物。
2.根据权利要求1所述的氮化铝质烧结体，其中，
所述复合氧化物含有Y。
3.根据权利要求1或2所述的氮化铝质烧结体，其中，
将所述氮化铝的晶体颗粒所包含的全部金属元素设为100mol％时，所述氮化铝的晶体颗粒所包含的Mg为0.1mol％以上且1.0mol％以下。
4.一种半导体保持装置，其具备氮化铝质烧结体和静电吸附用电极，
所述氮化铝质烧结体为权利要求1～3中任一项所述的氮化铝质烧结体。
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