[发明专利]包含钌或钌化合物的中毒催化剂的再生方法

权利要求书

1.已由于硫化合物形式的硫中毒的包含钌或钌化合物的催化剂的再生方法，其特征在于，使所述催化剂任选在升高的温度下、在非氧化条件下经受用包含卤化氢、特别是氯化氢的气体料流的处理，和另外任选地在降低的温度下经受至少两阶段的氧化后处理，其中在第一方法步骤中所述催化剂通过用包含蒸汽的气体料流处理而被部分氧化，且在第二方法步骤中所述催化剂通过用含氧气的气体料流处理而进一步氧化、优选完全氧化，所述含氧气的气体料流的氧气浓度优选连续地或相继地增加。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非氧化再生在最高600℃、优选200℃至500℃、特别优选300℃至450℃的温度下进行。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述再生在至最多20巴、优选至最多5巴、特别优选至最多1.5巴的压力下进行。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述非氧化再生在0.1至100体积％、优选1至30体积％、特别优选5至25体积％的卤化氢含量下进行。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述氧化后处理在最高600℃、优选200℃至500℃的范围内、特别优选200℃至400℃的范围内的温度下进行。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述氧化后处理在至最多20巴、优选至最多5巴、特别优选至最多1.5巴的压力下进行。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述氧化后处理的第一方法步骤在0.1至100体积％、优选20至80体积％、特别优选40至60体积％的蒸汽含量下进行。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述氧化后处理的第二方法步骤在0.1至100体积％、优选1至80体积％、特别优选10至50体积％范围内的氧气含量下进行。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述包含钌或钌化合物的催化剂是基于单独或以混合物形式存在的卤化钌、特别是氯化钌，卤氧化钌、特别是氯氧化钌，或氧化钌的催化剂。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一阶段的非氧化再生在0.5小时至100小时的时间段内进行。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，所述氧化后处理步骤各自彼此独立地在0.1小时至100小时的时间段内进行。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述再生和氧化后处理在相同的反应空间中进行，其中所述催化剂用于进行被所述催化剂催化的反应。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，使所述再生气体料流和所述氧化后处理料流以与催化的反应的反应组分在反应空间中的流动方向相反地引导经过所述催化剂。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其特征在于，所述催化剂是用于用氧气气相氧化氯化氢的催化剂。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其特征在于，在所述再生之后，以1:1、优选1.5:1、特别优选2:1的最大HCl/氧气比再次启动用氧气气相氧化氯化氢。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其特征在于，在所述再生之前，以1:1、优选1.5:1、特别优选2:1的最大HCl/氧气比再次运行用氧气气相氧化氯化氢。