[发明专利]利用ALGe的共晶键合在审
| 申请号： | 201880033236.1 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110709350A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 马丁·赫勒;藤田有真 | 申请（专利权）人： | 凯奥尼克公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐梦雅;王刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 多晶硅层 半导体 密封 熔化 共晶键合 密封剂 叠盖 可选 铝层 锗层 覆盖 | ||
1.一种使用第二半导体衬底密封形成在第一半导体衬底中的MEMS器件的方法，所述方法包括：
在所述第一衬底上形成铝锗结构；
在所述第二衬底上形成多晶硅层；
用所述第二衬底覆盖所述第一衬底，以使所述多晶硅层接触所述铝锗结构；和
在所述第一衬底和所述第二衬底之间进行共晶键合，以使所述铝锗结构熔化并形成AlGeSi密封剂，从而密封所述MEMS器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铝锗结构包括叠盖铝层的锗层。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第一衬底中在所述铝锗结构下方形成粘合层。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
在所述铝锗结构和所述粘合层之间形成氧化铝层。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述粘合层是氮化钛层。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第二衬底中在所述多晶硅层下方形成氧化铝层。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第二衬底中在所述多晶硅层下方形成多晶硅化金属层。
8.根据权利要求6所述的方法，还包括：
在所述第二衬底中在所述氧化铝层下方形成粘合层。
9.一种使用第二半导体衬底密封形成在第一半导体衬底中的MEMS器件的方法，所述方法包括：
在所述第一衬底中或在所述第一衬底上形成硅化物层；
在所述第一衬底的所述硅化物层上形成铝锗结构；
在所述第二衬底的衬底中或所述第二衬底的衬底上形成硅化物层；
用所述第二衬底覆盖所述第一衬底，以使所述第一衬底的所述铝锗结构接触所述第二衬底的所述硅化物层；和
在所述第一衬底和所述第二衬底之间进行共晶键合，以使所述铝锗结构熔化并形成AlGeSi密封剂，从而密封所述MEMS器件。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铝锗结构包括叠盖铝层的锗层，其中，所述铝层包括铜原子。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铝锗结构包括共沉积的铝和锗的层。
12.一种使用第二半导体衬底密封形成在第一半导体衬底中的MEMS器件的方法，所述方法包括：
在所述第一衬底中或所述第一衬底上形成硅化物层；
在所述第二衬底中或所述第二衬底上形成硅化物层；
在所述第二衬底的所述硅化物层上形成铝锗结构；
用所述第二衬底覆盖所述第一衬底，以使所述第二衬底的所述铝锗结构接触所述第一衬底的所述硅化物层；和
在所述第一衬底和所述第二衬底之间进行共晶键合，以使所述铝锗结构熔化并形成AlGeSi密封剂，从而密封所述MEMS器件。
13.一种使用第二半导体衬底密封形成在第一半导体衬底中的MEMS器件的方法，所述方法包括：
在所述第一衬底的衬底中或所述第一衬底的衬底上形成硅化物层；
在所述第一衬底的所述硅化物层上形成铝锗结构；
在所述第二衬底的衬底中或所述第二衬底的衬底上形成硅化物层；
在所述第二衬底的所述硅化物层上形成铝锗结构；
用所述第二衬底覆盖所述第一衬底，以使所述第一衬底的所述铝锗结构接触所述第一衬底的所述铝锗结构；和
在所述第一衬底和所述第二衬底之间进行共晶键合，以使所述铝锗结构熔化并形成AlGeSi密封剂，从而密封所述MEMS器件。
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