[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：

在用作栅极的导电衬底表面上形成介电层；

在所述介电层上形成碳纳米管；

在所述碳纳米管上形成绝缘层，所述绝缘层不作为栅极电介质；

在所述绝缘层中形成源极沟槽和漏极沟槽以暴露所述碳纳米管的端部；

在所述绝缘层中的源极沟槽和漏极沟槽中在所述碳纳米管的端部上形成低功函数金属；

在所述低功函数金属和所述碳纳米管之间形成润湿层；以及

在所述低功函数金属上形成覆盖层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述导电衬底包括掺杂的硅或金属。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述低功函数金属包括钪。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述低功函数金属还包括约10nm至约50nm的厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述润湿层包含钛。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述润湿层还包括约0.1nm至约1nm的厚度。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述介电层包括二氧化硅。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述覆盖层包含金。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述覆盖层还包括约10nm至约50nm的厚度。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述润湿层包含钛，所述低功函数金属包括钪，并且所述覆盖层包含金。

12.一种半导体器件，包括：

在用作栅极的导电衬底表面上的介电层；

在所述介电层表面上的碳纳米管；

在所述碳纳米管的部分上图案化的绝缘层，所述图案化的绝缘层中具有使得所述碳纳米管的端部未被所述图案化的绝缘层覆盖的源极沟槽和漏极沟槽，所述绝缘层不作为栅极电介质；

在所述源极沟槽和漏极沟槽中在所述碳纳米管端部上的低功函数金属；

所述低功函数金属和所述碳纳米管之间的润湿层；以及

所述低功函金属上的覆盖层。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述润湿层包括钛。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述润湿层还包括约0.1nm至约1nm的厚度。

15.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述导电衬底包括掺杂的硅或金属。

16.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括氮化硅。

17.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述低功函数金属包括钪。

18.如权利要求17所述的半导体器件，其中所述低功函数金属还包括约10nm至约50nm的厚度。

19.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述介电层包括二氧化硅。

20.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述覆盖层包含金。

21.如权利要求20所述的半导体器件，其中所述覆盖层还包括约10nm至约50nm的厚度。

22.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述润湿层包含钛，所述低功函数金属包括钪，并且所述覆盖层包含金。