[发明专利]化合物半导体基板和其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体基板，其是使由化合物半导体的单晶构成的第1薄膜层接合在支承基板上而成的，其特征在于，

所述第1薄膜层的表面被分割成作为中心角为90度的扇形的4个第1部分薄膜层，所述第1部分薄膜层以相互接触的方式绕所述支承基板的中心排列。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，

所述化合物半导体是SiC、氧化镓和GaN中的一者。

3.一种化合物半导体基板的制造方法，其是权利要求1所述的化合物半导体基板的制造方法，其特征在于，

该化合物半导体基板的制造方法包含以下工序：

部分基板形成工序，在该部分基板形成工序中，从由化合物半导体的单晶构成的圆形的第1基板至少去除其周缘部的一部分，使包含所述第1基板的中心的部分形成为第1部分基板；以及

第1接合工序，在该第1接合工序中，形成将两个以上的所述第1部分基板排列并接合在直径比所述第1基板的直径大的第1支承基板上而成的第1接合基板，

在所述部分基板形成工序中，利用两条直线切割所述第1基板且使包含所述第1基板的中心的部分形成为第1部分基板，该两条直线在距所述中心的距离为半径以下的基准点正交且相对于通过所述基准点的直径成为等角，

在所述第1接合工序中，将4个所述第1部分基板以使所述基准点对应所述第1支承基板的大致中心且被所述直线切割的部分相互接触的方式排列并接合在所述第1支承基板上。

4.根据权利要求3所述的化合物半导体基板的制造方法，其中，

在所述部分基板形成工序中，所述第1部分基板进一步被在通过所述基准点的直径上正交的两条直线切割而形成为四边形，

在所述第1接合工序中，以使所述基准点对应所述第1支承基板的大致中心的方式将4个所述第1部分基板排列并接合在所述第1支承基板上。

5.根据权利要求3或4所述的化合物半导体基板的制造方法，其中，

该化合物半导体基板的制造方法包含以下工序：

第2接合工序，在该第2接合工序中，将第2支承基板接合于在所述第1支承基板上排列并接合的所述第1部分基板的表面；以及

第1去除工序，在该第1去除工序中，通过去除所述第1支承基板而形成第2接合基板。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体基板的制造方法，其中，

该化合物半导体基板的制造方法包括以下工序：

氢层形成工序，在该氢层形成工序中，在所述第1接合基板或所述第2接合基板的所述第1部分基板的距表面预定深度的位置形成氢层；

第3接合工序，在该第3接合工序中，将第3支承基板接合于所述第1部分基板的所述表面；以及

分离工序，在该分离工序中，通过使所述第1部分基板在所述氢层处分离，从而得到在所述第3支承基板上形成有由所述化合物半导体的单晶构成的第1薄膜层而成的第3接合基板。

7.根据权利要求3或4所述的化合物半导体基板的制造方法，其中，

所述化合物半导体是SiC、氧化镓和GaN中的一者。