[发明专利]用于存储器的坏位寄存器有效
| 申请号： | 201880033345.3 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110651331B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | D.沃利奇;J.K.德布罗斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 寄存器 | ||
1.一种在常规操作期间识别坏位的存储器设备，包括：
非易失性随机存取存储器，包括：
可疑位寄存器，被配置为存储被确定为具有写入错误的位的地址；以及
坏位寄存器，被配置为存储(i)由于第一次写入错误出现在所述可疑位寄存器中并且(ii)被确定为在所述第一次写入错误之后具有第二次写入错误的位的地址，来作为所述非易失性随机存取存储器中的基于写入错误率的坏位的地址。
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述可疑位寄存器被配置为存储被确定为在老化过程之后发生所述写入错误的所述位的所述地址，且所述存储器设备进一步包括主寄存器，其被配置为识别在老化过程中确定有错误的位。
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述主寄存器和所述坏位寄存器被配置为熔丝位寄存器。
4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述主寄存器和所述坏位寄存器包括在所述非易失性随机存取存储器中。
5.根据权利要求2所述的存储器设备，其中在所述老化过程期间被确定为坏的位对应于电短路条件和电开路条件。
6.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述主寄存器包括在所述非易失性随机存取存储器中。
7.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述主寄存器包括在一次性可编程存储器设备中。
8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述非易失性随机存取存储器是具有磁隧道结的自旋扭矩磁阻随机存取存储器。
9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中响应于所述可疑位寄存器已满并且有地址待写入所述可疑位寄存器，在所述可疑位寄存器中的最旧的一个地址上写入。
10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中响应于所述坏位寄存器被填充且有地址待写入所述坏位寄存器，在所述坏位寄存器中的最旧的一个地址上写入。
11.一种在常规操作期间识别坏位的计算机实现的方法，包括：
在非易失性随机存取存储器中配置可疑位寄存器，以存储被确定为具有写入错误的位的地址；以及
在非易失性随机存取存储器中配置坏位寄存器，以存储(i)由于第一次写入错误出现在所述可疑位寄存器中并且(ii)被确定为在所述第一次写入错误之后具有第二次写入错误的位的地址，来作为所述非易失性随机存取存储器中的基于写入错误率的坏位的地址。
12.根据权利要求11所述的计算机实现的方法，其中所述可疑位寄存器被配置为存储被确定为在老化过程之后发生所述写入错误的所述位的所述地址，且所述方法进一步包括配置主寄存器以识别在老化过程中确定为坏的位。
13.根据权利要求12所述的计算机实现的方法，还包括将所述主寄存器和所述坏位寄存器配置为熔丝位寄存器。
14.根据权利要求13所述的计算机实现的方法，其中，所述主寄存器和所述坏位寄存器包括在所述非易失性随机存取存储器中。
15.根据权利要求12所述的计算机实现的方法，其中在所述老化过程期间被确定为坏的位对应于电短路条件和电开路条件。
16.根据权利要求12所述的计算机实现的方法，其中，所述主寄存器被配置在所述非易失性随机存取存储器中。
17.根据权利要求12所述的计算机实现的方法，其中所述主寄存器被配置在一次性可编程存储器设备中。
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