[发明专利]结构体的制造方法及结构体在审
| 申请号： | 201880033360.8 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110651359A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 永口悠二;瀬山耕平;中村智宣;菊池広;岛津武仁;鱼本幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K20/00;B23K20/24 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村山市伊奈平二丁目*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液状树脂 接合 原子扩散 表面形成金属 金属薄膜 树脂层 薄膜 表面平滑化 薄膜形成 表面涂布 结构体 平滑 密接 硬化 制造 | ||
1.一种结构体的制造方法，将多个构件进行接合，其特征在于，包括：
在至少一个所述构件的表面涂布液状树脂的步骤；
通过所涂布的所述液状树脂的表面张力，使所述液状树脂的表面平滑化的步骤；
将所述液状树脂硬化而形成树脂层的步骤；
在所述树脂层的表面形成金属薄膜的步骤；
在其他的所述构件的表面形成所述金属薄膜的步骤；以及
将至少一个所述构件的所述金属薄膜与其他的所述构件的所述金属薄膜密接而进行接合的步骤。
2.根据权利要求1所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述树脂层具有弹性。
3.根据权利要求1所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述构件为半导体。
4.根据权利要求2所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述构件为半导体。
5.根据权利要求3所述的结构体的制造方法，其特征在于，至少一个所述半导体具有从表面突出既定高度的多个电极，并且
将所述液状树脂涂布于多个所述电极之间，通过所述液状树脂的表面张力，使所述液状树脂的表面平滑化，并且将多个所述电极的前端面与所述液状树脂的表面设为同一面。
6.根据权利要求4所述的结构体的制造方法，其特征在于，至少一个所述半导体具有从表面突出既定高度的多个电极，并且
将所述液状树脂涂布于多个所述电极之间，通过所述液状树脂的表面张力，使所述液状树脂的表面平滑化，并且将多个所述电极的前端面与所述液状树脂的表面设为同一面。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的结构体的制造方法，其特征在于，至少一个所述构件的所述金属薄膜通过原子扩散接合而与其他的所述构件的所述金属薄膜接合。
8.根据权利要求3所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述构件为形成有半导体的半导体芯片，
所述液状树脂涂布于所述半导体芯片的表面或所述半导体芯片的背面或者所述两面上，并且
所涂布的所述液状树脂是以其表面粗糙度与其他的所述构件的表面粗糙度相比变小的方式而平滑化。
9.根据权利要求4所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述构件为形成有半导体的半导体芯片，
所述液状树脂涂布于所述半导体芯片的表面或所述半导体芯片的背面或者所述两面上，并且
所涂布的所述液状树脂是以其表面粗糙度与其他的所述构件的表面粗糙度相比变小的方式而平滑化。
10.一种结构体的制造方法，将多个构件接合，其特征在于，包括：
在多个所述构件的表面分别涂布液状树脂的步骤；
通过所涂布的所述液状树脂的表面张力，使所述液状树脂的表面平滑化的步骤；
将所述液状树脂硬化而形成树脂层的步骤；
在所述树脂层的表面形成金属薄膜的步骤；以及
将多个所述构件的所述金属薄膜相互密接而进行接合的步骤。
11.根据权利要求10所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述树脂层具有弹性。
12.根据权利要求10所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述构件为半导体。
13.根据权利要求11所述的结构体的制造方法，其特征在于，所述构件为半导体。
14.根据权利要求12所述的结构体的制造方法，其特征在于，至少一个所述半导体具有从表面突出既定高度的多个电极，并且
将所述液状树脂涂布于多个所述电极之间，通过所述液状树脂的表面张力，使所述液状树脂的表面平滑化，并且将多个所述电极的前端面与所述液状树脂的表面设为同一面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
