[发明专利]用于光电子器件制造的脱模层下的生长结构

权利要求书

1.一种制造光电子器件的方法，所述方法包括：

提供具有衬底和从第一晶格常数到第二晶格常数的晶格过渡的生长结构；

在所述生长结构上沉积脱模层；

在所述脱模层上沉积外延层，所述外延层包括所述光电子器件并且具有与所述生长结构的所述第二晶格常数匹配的晶格常数；和

去除所述脱模层以将具有所述光电子器件的所述外延层与所述生长结构分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长结构包括渐变层，所述渐变层提供从所述第一晶格常数到所述第二晶格常数的过渡。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述生长结构包括设置在所述渐变层上的缓冲层，所述脱模层沉积在所述缓冲层上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延层包括形成所述光电子器件的至少一个子单元。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述光电子器件是单结光伏器件，并且

所述至少一个子单元包括单个子单元。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述单个子单元是InGaAs子单元。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一晶格常数在5.65埃至5.66埃的范围内，并且所述第二晶格常数在5.661埃至5.69埃的范围内。

8.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述光电子器件是双结光伏器件，并且

所述至少一个子单元包括第一子单元和第二子单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述第一子单元是最靠近所述脱模层的InGaP子单元、InGaAsP子单元或AlInGaAs子单元，

所述第二子单元是设置在所述第一子单元上的InGaAs子单元。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一晶格常数在5.65埃至5.66埃的范围内，并且所述第二晶格常数在5.67埃至5.85埃的范围内。

11.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述光电子器件是三结光伏器件，并且

所述至少一个子单元包括第一子单元、第二子单元和第三子单元。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述第一子单元是最靠近所述脱模层的AlInP子单元或AlInGaP子单元，

所述第二子单元是设置在所述第一子单元上的InGaP子单元或InGaAsP子单元或AlInGaAs子单元，

所述第三子单元是设置在所述第二子单元上的InGaAs子单元。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一晶格常数是约5.655+/-0.005埃或5.65+/-0.01埃，并且所述第二晶格常数在5.661埃至5.89埃的范围内，所述第二晶格常数基于所述光电子器件中的结的数量。

14.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述光电子器件是具有多于三个结的光电子器件，并且

所述至少一个子单元包括多于三个子单元。

15.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述脱模层包括将柄附接到所述外延层。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述脱模层之后对所述生长结构进行处理；和

重新使用经处理的生长结构来制造另一光电子器件。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述光电子器件是发光器件。