[发明专利]器件解析装置及器件解析方法

权利要求书

1.一种器件解析装置，其特征在于，

是执行功率半导体器件的好坏判别的器件解析装置，

具备：

施加部，其对所述功率半导体器件施加电压信号；

光检测部，其在多个检测位置上检测来自所述功率半导体器件的光，并输出基于检测结果的检测信号；

判别部，其基于所述检测信号的时间变化，判别所述功率半导体器件的好坏；及

比较部，其对所述检测信号的时间变化彼此予以比较，

所述判别部基于所述比较部中的比较结果，判别所述功率半导体器件的好坏，

从所述施加部施加到所述功率半导体器件的电压信号是被调制为脉冲状的电压信号。

2.如权利要求1所述的器件解析装置，其特征在于，

还具备将所述检测信号的时间变化与预先设定的阈值予以比较的比较部，

所述判别部基于所述比较部中的比较结果，判别所述功率半导体器件的好坏。

3.如权利要求1所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部在包含所述功率半导体器件的周边部的多个检测位置上检测来自所述功率半导体器件的光。

4.如权利要求2所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部在包含所述功率半导体器件的周边部的多个检测位置上检测来自所述功率半导体器件的光。

5.如权利要求1～4中任一项所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部在所述多个检测位置上同时地检测来自所述功率半导体器件的光。

6.如权利要求1～4中任一项所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部在所述多个检测位置上个别地检测来自所述功率半导体器件的光。

7.如权利要求1～4中任一项所述的器件解析装置，其特征在于，

所述施加部对所述功率半导体器件施加使雪崩击穿产生的电压信号。

8.如权利要求5所述的器件解析装置，其特征在于，

所述施加部对所述功率半导体器件施加使雪崩击穿产生的电压信号。

9.如权利要求6所述的器件解析装置，其特征在于，

所述施加部对所述功率半导体器件施加使雪崩击穿产生的电压信号。

10.如权利要求7所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部检测起因于所述雪崩击穿而在所述功率半导体器件产生的发光。

11.如权利要求8所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部检测起因于所述雪崩击穿而在所述功率半导体器件产生的发光。

12.如权利要求9所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部检测起因于所述雪崩击穿而在所述功率半导体器件产生的发光。

13.如权利要求1～4中任一项所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部的时间分辨率为1μs以下。

14.如权利要求5所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部的时间分辨率为1μs以下。

15.如权利要求6所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部的时间分辨率为1μs以下。

16.如权利要求7所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部的时间分辨率为1μs以下。

17.如权利要求8所述的器件解析装置，其特征在于，

所述光检测部的时间分辨率为1μs以下。