[发明专利]存储器地址验证方法及采用所述方法的存储器装置

说明书

本发明提供一种存储器装置及其操作方法。所述存储器装置包含：存储器单元阵列；及控制器，其经配置以接收要存储在所述阵列中的地址处的数据字且将所述数据字及对应于所述地址的位置标志存储在所述阵列中的所述地址处。所述控制器可进一步经配置以命令所述阵列从所述地址读取所述数据字，从所述阵列接收响应数据，且验证所述响应数据的位置标志是否对应于所述地址。如果所述响应数据的所述位置标志不对应于所述地址，那么所述控制器可进一步经配置以指示错误。

相关申请案的交叉参考

本申请案含有与阿尔伯·特特罗亚(Alberto Troia)的标题为“存储器地址验证方法及采用所述方法的存储器装置(METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION ANDMEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME)”的同时申请的美国专利申请案相关的标的物。其揭示内容以引用方式并入本文中的相关申请案转让给美光科技公司(Micron Technology,Inc.)且由代理人案号010829-9240.US00标识。

技术领域

本发明大体上涉及存储器装置，且更特定来说，涉及存储器地址验证方法及采用所述方法的存储器装置。

背景技术

存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器，包含随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等，可需要所施加的电力源来维持其数据。相反，即使不从外部被供电，非易失性存储器仍可保留其存储数据。非易失性存储器可用于多种技术中，包含快闪存储器(例如，NAND及NOR)、相变存储器(PCM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)等等。

存储器装置可包含用于存储数据、通常组织成行及列的大型存储器单元阵列。个别存储器单元及/或一系列存储器单元可通过其行及列来寻址。当对存储器阵列进行寻址时，可能存在一或多个地址转换层，例如以在由主机装置利用的逻辑地址与对应于存储器阵列中的位置的物理地址之间转换。尽管不常见，但在其命令/地址总线上提供给存储器装置的地址信息可能因错误而损坏，使得可能对与存储器装置的主机装置或控制器的目标物理地址不同的物理地址执行存储器装置的内部操作(例如，读取操作、写入操作、擦除操作等)。因此，需要一种验证已在预期地址处执行存储器操作的方式。

附图说明

图1是说明根据本发明的实施例的存储器系统的框图。

图2示意性地说明根据本发明的实施例的存储器装置。

图3示意性地说明根据本发明的实施例的存储器装置。

图4示意性地说明根据本发明的实施例的存储器装置。

图5示意性地说明根据本发明的实施例的存储器装置。

图6是说明根据本发明的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。

图7是说明根据本发明的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。

图8是说明根据本发明的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。

具体实施方式