[发明专利]外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201880034863.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110678964A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 大槻刚;水泽康;铃木克佳;石崎顺也 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;C30B25/18;C30B29/06;H01L21/322 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 原子层 外延片 硅基板 制造 | ||
1.一种外延片的制造方法，其在硅基板上形成外延层，其特征在于，
其具有在所述外延层中形成原子层的工序，所述原子层由选自氧、碳、氮、锗、锡、硼及磷组成的组中的一种元素的原子形成，且厚度为5nm以下，
使用SiH4气体，形成与所述原子层相接的外延层。
2.根据权利要求1所述的外延片的制造方法，其特征在于，将所述原子层形成为单原子层。
3.根据权利要求1或2所述的外延片的制造方法，其特征在于，使用SiH4气体，形成所述外延层的区域中与所述原子层相接的、由该原子层开始至至少5nm的区域。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，在所述外延层中形成多层所述原子层。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，使用SiH2Cl2气体或SiHCl3气体，形成所述外延层的区域中除所述使用SiH4气体而形成的区域以外的区域。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的外延片的制造方法，其特征在于，
在形成氧原子层的情况下，使用氧气，形成所述原子层；
在形成碳原子层的情况下，使用CH4气体，形成所述原子层；
在形成氮原子层的情况下，使用NH3气体，形成所述原子层；
在形成锗原子层的情况下，使用含有Ge的有机金属气体，形成所述原子层；
在形成锡原子层的情况下，使用含有Sn的有机金属气体，形成所述原子层；
在形成硼原子层的情况下，使用B2H6气体，形成所述原子层；
在形成磷原子层的情况下，使用PH3气体，形成所述原子层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社，未经信越半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880034863.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体晶片的复合粘接方法及相关的三维集成器件
- 下一篇：加工对象物切割方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
