[发明专利]发光装置和投影仪在审
申请号: | 201880034987.5 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN110710068A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 今井保贵 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;G03B21/14;F21V29/502;F21V29/60;F21S2/00;F21V7/30;F21V9/40;G02B5/20;H01L33/50 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李庆泽;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 发光装置 柱状部 发光效率 荧光体 照射光 射出 发光 | ||
提供发光装置,能够提高发光效率。发光装置包含:基体;光源;以及多个柱状部,它们设置于所述基体,具有利用从所述光源射出的光而发光的第1荧光体,所述光源对所述柱状部倾斜地照射光。
技术领域
本发明涉及发光装置和投影仪。
背景技术
以往,在投影仪中,通常使用超高压水银灯等放电灯作为光源。但是,这种放电灯存在寿命比较短、难以瞬时点亮、从灯放射的紫外线使液晶光阀劣化等课题。因此,提出使用了代替放电灯的方式的光源的投影仪。
例如,在专利文献1中记载了一种投影仪的光源装置(发光装置),其具有:发光板,其形成有接受激励光而发出规定波段的光的荧光体层;以及光源,其从荧光体层的上表面的法线方向对荧光体层照射激励光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-100163号公报
发明内容
发明要解决的课题
在上述那样的发光装置中,由于对荧光体层照射光,所以有时荧光体层的温度上升而使发光光率降低。为了解决这样的问题,可考虑将荧光体层分割成多个而使表面积变大,从而提高散热性。
但是,在包含多个分割而得的荧光体的发光装置中,有时激励光的一部分未入射到荧光体,而是穿过相邻的荧光体的间隙而入射到基体,因此发光光率降低。
本发明的几个方式的目的之一在于,提供能够提高发光效率的发光装置。另外,本发明的几个方式的目的之一在于,提供能够具有高亮度的投影仪。
用于解决课题的手段
本发明的发光装置包含:基体;光源;以及多个柱状部,它们设置于所述基体,具有利用从所述光源射出的光而发光的第1荧光体,所述光源对所述柱状部倾斜地照射光。
在这样的发光装置中,能够减少从光源射出的光不入射到柱状部而入射到基体的情况。因此,在这样的发光装置中,能够提高发光光率。
在本发明的发光装置中,也可以是,从所述光源向多个所述柱状部照射的光的光轴与所述柱状部的柱方向交叉。
在这样的发光装置中,能够减少从光源射出的光不入射到柱状部而入射到基体的情况。
在本发明的发光装置中,也可以是,所述柱状部具有夹着所述第1荧光体而设置的第1半导体层和第2半导体层,所述第1半导体层和所述第2半导体层具有比所述第1荧光体发出的光的能量大的带隙,所述第1荧光体、所述第1半导体层以及所述第2半导体层沿着所述柱方向排列。
在这样的发光装置中,能够通过第1荧光体、第1半导体层以及第2半导体层来形成量子阱构造,从而能够将电子封闭在第1荧光体中。由此,在这样的发光装置中,能够提高发光光率。
在本发明的发光装置中,也可以是,所述柱状部具有:第2荧光体,其利用从所述光源照射的光而发光;以及第3半导体层,其具有比所述第2荧光体发出的光的能量大的带隙,所述第2半导体层和所述第3半导体层夹着所述第2荧光体而设置,所述第2半导体层具有比所述第2荧光体发出的光的能量大的带隙,所述第1荧光体、所述第2荧光体、所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层沿着所述柱方向排列。
在这样的发光装置中,从光源射出的光例如能够在相邻的柱状部中入射到一方的柱状部的第2荧光体并透过了一方的柱状部之后,向另一方的柱状部的第1荧光体入射。因此,在这样的发光装置中,能够提高发光光率。
在本发明的发光装置中,也可以是,所述基体的第1面具有凹凸形状,多个所述柱状部中的第1柱状部设置于构成所述第1面的凹凸形状的第1凸部,多个所述柱状部中的第2柱状部设置于构成所述第1面的凹凸形状的第1凹部。
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