[发明专利]电子倍增体有效
| 申请号： | 201880035018.1 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110678955B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 增子太地;西村一;浜名康全;渡边宏之 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01J43/24 | 分类号： | H01J43/24 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 倍增 | ||
1.一种电子倍增体，其特征在于，包括：
具有通道形成面的基板；
二次电子放出层，其具有面对所述通道形成面的底面和与所述底面相对且响应带电粒子的入射而放出二次电子的二次电子放出面；和
电阻层，其由所述基板和所述二次电子放出层夹着，并且包含在与所述通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地形成的Pt层，
所述电阻层具有以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的该电阻层的电阻值，-60℃的该电阻层的电阻值为10倍以下且+60℃的该电阻层的电阻值为0.25倍以上，
所述Pt层包含Pt块，该Pt块具有在通过XRD分析得到的图谱中分别出现半高宽为角度5°以下的(111)面的峰值和(200)面的峰值的程度的结晶性。
2.如权利要求1所述的电子倍增体，其特征在于：
所述电阻层具有以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的该电阻层的电阻值，-60℃的该电阻层的电阻值为2.7倍以下且+60℃的该电阻层的电阻值为0.3倍以上。
3.如权利要求1所述的电子倍增体，其特征在于：
所述Pt层包含Pt块，该Pt块具有在通过XRD分析得到的图谱中进一步出现半高宽为角度5°以下的(220)面的峰值的程度的结晶性。
4.如权利要求2所述的电子倍增体，其特征在于：
所述Pt层包含Pt块，该Pt块具有在通过XRD分析得到的图谱中进一步出现半高宽为角度5°以下的(220)面的峰值的程度的结晶性。
5.如权利要求1至4中任一项所述的电子倍增体，其特征在于：
还包括基底层，其设置于所述基板与所述二次电子放出层之间，在面对所述二次电子放出层的所述底面的位置具有所述层形成面。
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