[发明专利]电子倍增体有效
| 申请号： | 201880035027.0 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110678956B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 增子太地;西村一;浜名康全;渡边宏之 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01J43/24 | 分类号： | H01J43/24 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 倍增 | ||
1.一种电子倍增体，其特征在于，包括：
具有通道形成面的基板；
二次电子放出层，其具有面对所述通道形成面的底面和与所述底面相对且响应带电粒子的入射而放出二次电子的二次电子放出面，并且由第一绝缘材料构成；和
由所述基板和所述二次电子放出层夹着的电阻层，
所述电阻层包含金属层，该金属层是由其电阻值具有正的温度特性的金属材料构成的多个金属块以隔着所述第一绝缘材料的一部分彼此相邻的状态，在与所述通道形成面一致或实质上平行的层形成面上二维地配置的金属层，并且由沿着从所述通道形成面向所述二次电子放出面的层叠方向的所述多个金属块的平均厚度规定的层厚被设定为5～40埃。
2.如权利要求1所述的电子倍增体，其特征在于：
所述金属层的层厚被设定为5～15埃。
3.如权利要求2所述的电子倍增体，其特征在于：
所述金属层的层厚被设定为7～14埃，并且
沿着从所述二次电子放出层向所述基板的方向看所述层形成面时的、所述层形成面上的所述多个金属块的覆盖率被设定为50～60％。
4.如权利要求1所述的电子倍增体，其特征在于：
所述金属层的层厚被设定为15～40埃。
5.如权利要求4所述的电子倍增体，其特征在于：
所述金属层的层厚被设定为18～37埃，并且
沿着从所述二次电子放出层向所述基板的方向看所述层形成面时的、所述层形成面上的所述多个金属块的覆盖率被设定为50～70％。
6.如权利要求1至5中任一项所述的电子倍增体，其特征在于：
还包括基底层，其设置于所述基板与所述二次电子放出层之间，在面对所述二次电子放出层的所述底面的位置具有所述层形成面，并且由第二绝缘材料构成。
7.如权利要求1至5中任一项所述的电子倍增体，其特征在于：
所述电阻层具有以下范围内的温度特性：相对于温度20℃的该电阻层的电阻值，-60℃的该电阻层的电阻值为2.7倍以下且+60℃的该电阻层的电阻值为0.3倍以上。
8.如权利要求7所述的电子倍增体，其特征在于：
还包括基底层，其设置于所述基板与所述二次电子放出层之间，在面对所述二次电子放出层的所述底面的位置具有所述层形成面，并且由第二绝缘材料构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社，未经浜松光子学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880035027.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
