[发明专利]用于播种和培养的系统和方法有效
申请号: | 201880035437.5 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN110892060B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 莎林德尔·布密伊拉塔那;凯斯·耶格尔 | 申请(专利权)人: | 埃皮博恩股份有限公司 |
主分类号: | C12M3/00 | 分类号: | C12M3/00;C12M1/00;C12M1/04;C12M1/16;C12M3/02 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 播种 培养 系统 方法 | ||
1.一种处理多孔支架的表面的方法,其特征在于,包括:
将所述多孔支架容纳在第一腔室中;
经由流动回路将TAI、TAI培养基和气体从TAI存储装置、至少一个第二腔室和气体入口输送到所述支架,所述TAI包括细胞,所述TAI培养基包括用于TAI的食物源;
通过泵在所述流动回路中泵送所述TAI、所述TAI培养基和所述气体中的至少一个;
通过处理器控制培养基阀,用于调节所述TAI培养基从所述第二腔室输出的输送;
通过所述处理器控制气体阀,用于调节所述气体从所述气体入口输出的输送;
通过所述处理器控制TAI阀,用于调节所述TAI从所述TAI存储装置输出的输送;
通过所述处理器控制第一腔室阀,用于调节所述TAI培养基和所述气体向所述第一腔室的输送,所述气体阀相对于所述第一腔室阀设置在上游,用于将所述气体从所述气体入口输送到所述第一腔室中,所述培养基阀相对于所述第一腔室阀设置在上游,用于将所述TAI培养基从所述第二腔室输送到所述第一腔室中;和
通过所述处理器控制排废阀,用于调节气体,过量TAI培养基和废物从所述第一腔室输出的输送;
其中所述处理器通过重复地交替进行气体充入步骤和气体释放步骤来调节通过所述支架的加压气体爆发的脉冲。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中在所述气体充入步骤期间,所述处理器打开所述气体阀和所述排废阀,而其他阀保持关闭。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中在所述气体释放步骤期间,所述处理器首先在气体爆发之前关闭所述气体阀,并且打开所述第一腔室阀以将一个脉冲加压气体爆发释放到所述第一腔室中,而所述排废阀保持打开。
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